[发明专利]一种二极管用外延片

说明书

本发明公开了一种二极管用外延片，包括上外壳和下外壳，所述上外壳设置于下外壳的顶部；所述下外壳的内部设有蓝宝石、非掺杂氮化镓和n型重掺杂氮化镓，且所述蓝宝石、非掺杂氮化镓和n型重掺杂氮化镓依次从下往上紧密贴合，并均与下外壳固定连接；所述上外壳的内部设有多量子肼、p型铝镓氮、p型氮化镓和n型铝镓氮，该种二极管用外延片，在掺镓氧化锌的顶部安装了防反接二极管，可以有效的避免外延片释放静电导通到二极管内的问题，同时采用静电导线将静电导入大地，可以很好的消除静电，保护了二极管，由于在钛铝连接块的表面设置了凹槽，可以有效的和二极管连接柱卡住，很好的将外延片固定在二极管内。

技术领域

本发明涉及外延片技术领域，具体为一种二极管用外延片。

背景技术

外延是半导体工艺当中的一种，在bipolar工艺中，硅片最底层是P型衬底硅(有的加点埋层)；然后在衬底上生长一层单晶硅，这层单晶硅称为外延层；再后来在外延层上注入基区、发射区等等。最后基本形成纵向NPN管结构:外延层在其中是集电区，外延上面有基区和发射区，外延片就是在衬底上做好外延层的硅片，因有些厂只做外延之后的工艺生产，所以他们买别人做好外延工艺的外延片来接着做后续工艺，由此我们知道二极管用的外延片运用十分广泛，也需要将其做的更加完善。

现有的二极管用外延片，由于容易释放静电，易造成二极管损坏，而在进行安装外延片时，容易松动，不便于固定。

所以，如何设计一种二极管用外延片，成为我们当前要解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种二极管用外延片，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种二极管用外延片，包括上外壳和下外壳，所述上外壳设置于下外壳的顶部；所述下外壳的内部设有蓝宝石、非掺杂氮化镓和n型重掺杂氮化镓，且所述蓝宝石、非掺杂氮化镓和n型重掺杂氮化镓依次从下往上紧密贴合，并均与下外壳固定连接；

所述上外壳的内部设有多量子阱、p型铝镓氮、p型氮化镓和n型铝镓氮，所述多量子阱、p型铝镓氮、p型氮化镓和n型铝镓氮依次从下往上紧密贴合，并与上外壳固定连接，所述多量子阱与n型重掺杂氮化镓紧密贴合；

所述n型铝镓氮的顶部设有掺镓氧化锌，且所述掺镓氧化锌与n型铝镓氮紧密贴合，所述掺镓氧化锌的顶部安装有防反接二极管。

进一步的，所述掺镓氧化锌的一侧设有静电导线，且所述静电导线与掺镓氧化锌电性连接。

进一步的，所述掺镓氧化锌的一侧对称设有镍铝连接片，且所述镍铝连接片分别与n型铝镓氮和防反接二极管紧密贴合。

进一步的，所述上外壳的一侧对称设有钛铝连接块，且所述钛铝连接块与n 型重掺杂氮化镓紧密贴合。

进一步的，所述钛铝连接块的表面设有凹槽，且所述凹槽嵌入设置钛铝连接块中，并与钛铝连接块固定连接。

进一步的，所述防反接二极管的阴极与掺镓氧化锌紧密贴合。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：该种二极管用外延片，在掺镓氧化锌的顶部安装了防反接二极管，可以有效的避免外延片释放静电导通到二极管内的问题，同时采用静电导线将静电导入大地，可以很好的消除静电，保护了二极管，由于在钛铝连接块的表面设置了凹槽，可以有效的和二极管连接柱卡住，很好的将外延片固定在二极管内，不容易松动。

附图说明

图1是本发明的整体结构示意图；

图2是本发明的图1中上外壳和下外壳纵剖图；

图3是本发明的图1中A0部放大图。