[发明专利]太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201810981750.X | 申请日： | 2018-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN109103281A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 胡居涛;江斌 | 申请（专利权）人： | 常州东腾新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/04;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 213100 江苏省常州市武*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 吸收层 基板 背电极 窗口层 缓冲层 顶电极 制备 空穴 方向梯度 吸收光谱 转换效率 带隙 传输 | ||
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
基板；
背电极，位于所述基板上；
第一吸收层，位于所述背电极上，且所述第一吸收层的带隙沿远离所述基板的方向梯度增大；
缓冲层，位于所述第一吸收层上；
窗口层，位于所述缓冲层上；
顶电极，位于所述窗口层上。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一吸收层的材料为铜铟硒、铜铟镓硒、铜铟镓硫、铜铟硫、铜锌硒硫和铜锌锡硒中的任一种。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，在所述第一吸收层的材料为铜铟镓硒的情形下，所述第一吸收层中镓的含量沿远离基板的方向梯度增大。
4.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，在所述第一吸收层的材料为铜铟镓硒的情形下，所述第一吸收层含有硫化钠或硒化纳，且所述硫化钠或硒化纳的质量分数为0.05％-0.1％。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一吸收层带隙从1.14eV增大至1.18eV。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括：
第二吸收层，位于所述第一吸收层和所述缓冲层之间，所述第二吸收层的带隙大于所述第一吸收层的带隙，并小于所述缓冲层的带隙。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二吸收层的材料为铜铟镓硒硫，所述第二吸收层的带隙沿着远离所述基板的方向梯度增大。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二吸收层中硫的含量沿远离所述基板的方向梯度增大。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述缓冲层的材料至少包括氧化锌、硫化锌和硒化锌中的一种。
10.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
在基板上形成背电极；
在所述背电极上形成第一吸收层，所述第一吸收层的带隙沿远离所述基板的方向梯度增大；
在所述第一吸收层上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成窗口层；
在所述窗口层上形成顶电极，以形成所述太阳能电池。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州东腾新能源科技有限公司，未经常州东腾新能源科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810981750.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
