[发明专利]一种芯片镜面抛光研磨工艺

说明书

本发明公开了一种芯片镜面抛光研磨工艺，包括如下步骤：S1、将硅片通过吸盘进行固定，然后对硅片进行超声清洗，去除硅片表面的粉尘颗粒后，对粉尘颗粒进行收集清洁处理；S2、使用抛光磨轮对硅片进行磨片处理，采用冷却水系统边打磨边向硅片喷水冷却，直至硅片表面达到粗抛的粗糙度；S3、对粗抛后的硅片进行烘干，然后采用胆碱工艺对硅片进行清洗。本发明提供的一种芯片镜面抛光研磨工艺，与传统技术相比，该方法采用胆碱清洗代替氢氧化钠清洗，硅片表面的划痕大为改观，改善表面加工质量；加装INNERNOZZLE水冷系统，改善硅片表面的冷却效果；提高产品厚度均匀性，提高产品平整度；不用蜡，减少清洗试剂污染，降低成本。

技术领域

本发明属于硅片材料加工技术领域，更具体地说，尤其涉及一种芯片镜面抛光研磨工艺。

背景技术

现有的芯片镜面抛光研磨工艺一般为一下两种：

一、有蜡：

来料—贴片—磨片—抛光—取片—去蜡—清洗—检验。

二、无蜡+抛光：

来料—清洗—无蜡磨片—贴片—抛光—取片—去蜡—清洗—检验。

以上两种工艺工序多，成本高，去蜡试剂涉及环保问题，不易清洗干净，产品成本率低，精度低。为此，提供一种工艺来提高产品厚度均匀性，提高产品平整度，同时，不用蜡，减少清洗试剂污染，降低成本，就尤为重要了。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种芯片镜面抛光研磨工艺。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种芯片镜面抛光研磨工艺，包括如下步骤：

S1、将硅片通过吸盘进行固定，然后对硅片进行超声清洗，去除硅片表面的粉尘颗粒后，对粉尘颗粒进行收集清洁处理；

S2、使用抛光磨轮对硅片进行磨片处理，采用冷却水系统边打磨边向硅片喷水冷却，直至硅片表面达到粗抛的粗糙度；

S3、对粗抛后的硅片进行烘干，然后采用胆碱工艺对硅片进行清洗。

优选的，所述步骤S2中DFG8540无腊磨片机的抛光磨轮高压粗抛压力/时间为28-35psi/7分钟。

优选的，所述步骤S2中粗抛温度为30℃-38℃。

优选的，所述步骤S2中冷却水系统采用INNER NOZZLE水冷系统，冷却水流量为5-7加仑/分钟。

优选的，所述步骤S3中烘干温度为35℃-38℃，烘干时间为10-12分钟。

优选的，所述步骤S3中胆碱的浓度为50-55g/L，其清洗时间为70-95s。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明提供的一种芯片镜面抛光研磨工艺，与传统技术相比，该方法采用胆碱清洗代替氢氧化钠清洗，硅片表面的划痕大为改观，改善表面加工质量；

加装INNERNOZZLE水冷系统，改善硅片表面的冷却效果；

提高产品厚度均匀性，提高产品平整度；不用蜡，减少清洗试剂污染，降低成本。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例1

一种芯片镜面抛光研磨工艺，包括如下步骤：