[发明专利]充放电激活电路有效
申请号: | 201810980928.9 | 申请日: | 2018-08-27 |
公开(公告)号: | CN110867910B | 公开(公告)日: | 2023-10-20 |
发明(设计)人: | 朱涛 | 申请(专利权)人: | 添可智能科技有限公司 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00 |
代理公司: | 北京太合九思知识产权代理有限公司 11610 | 代理人: | 刘戈 |
地址: | 215168 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 放电 激活 电路 | ||
1.一种充放电激活电路,其特征在于,包括:放电激活电路、充电激活电路以及选通电路;所述放电激活电路与所述选通电路电连接,并与外围控制电路的触发信号输出端电连接;所述充电激活电路与所述选通电路电连接,并与电池组的充电正极电连接;且所述选通电路与所述电池组的BMS模块电连接。
2.根据权利要求1所述的充放电激活电路,其特征在于,所述放电激活电路用于在来自所述触发信号输出端的触发信号的触发下,向所述选通电路输出选通信号,以通过所述选通电路向所述BMS模块输出第一激活信号,以激活所述BMS模块进行放电管理。
3.根据权利要求2所述的充放电激活电路,其特征在于,所述选通电路用于根据来自所述放电激活电路的选通信号工作于第一选通模式下,以将所述放电激活电路与所述BMS模块连通。
4.根据权利要求1所述的充放电激活电路,其特征在于,所述充电激活电路用于在外部电源提供的直流信号的触发下,向所述选通电路输出选通信号,以通过所述选通电路向所述BMS模块输出所述第二激活信号,以激活所述BMS模块进行充电管理。
5.根据权利要求4所述的充放电激活电路,其特征在于,所述选通电路用于根据来自所述充电激活电路的选通信号工作于第二选通模式下,以将所述充电激活电路与所述BMS模块连通。
6.根据权利要求1所述的充放电激活电路,其特征在于,所述放电激活电路包括:PNP三极管电路与N-MOS开关电路;
所述PNP三级管电路的发射极与所述外围控制电路的触发信号输出端电连接;所述PNP三极管电路的基极接地;所述PNP三极管电路的集电极与所述N-MOS开关电路的栅极电连接;所述PNP三级管电路的集电极与发射极之间串接电容C8;
所述N-MOS开关电路的漏极分别与所述选通电路和所述电池组的第n节电池的正极电连接;所述N-MOS开关电路的源极接地;其中,n为正整数,且1≤n≤所述电池组的总节数。
7.根据权利要求6所述的充放电激活电路,其特征在于,所述PNP三极管电路包括:PNP三级管和二极管D3;
所述PNP三级管的发射极与二极管D3的负极电连接,所述二极管D3的正极与所述外围控制电路的触发信号输出端电连接;
所述PNP三级管的基极串联电阻R11与地连接,且所述基极与所述电阻R11的串接点与所述外围控制电路的触发信号输出端电连接;
所述PNP三级管的集电极串联两个下拉电阻R12和R13后与地连接,所述两个电阻R12和R13的串接点与所述N-MOS开关电路的栅极电连接。
8.根据权利要求6所述的充放电激活电路,其特征在于,所述N-MOS开关电路包括:N-MOS管Q3和稳压管ZD2;
所述稳压管ZD2串接于所述两个下拉电阻R12和R13的串接点与地之间,且所述稳压管ZD2的负极与所述两个电阻R12和R13的串接点连接,正极接地;
所述N-MOS管Q3的漏极与所述选通电路电连接,且所述漏极串接一电阻R14后与所述第n节电池的正极电连接;
所述N-MOS管Q3的源极接地;所述漏极与所述源极之间串接二极管D6,且所述二极管D6的正极与所述源极连接,负极与所述漏极连接。
9.根据权利要求6所述的充放电激活电路,其特征在于,所述选通电路包括:P-MOS管Q4;所述P-MOS管Q4的栅极与所述N-MOS开关电路的漏极电连接;所述P-MOS管Q4的源极与所述第n节电池的正极电连接;所述P-MOS管Q4的漏极串联两个下拉电阻R16和R17后接地,所述两个下拉电阻的R16和R17的串接点与所述BMS模块电连接。
10.根据权利要求9所述的充放电激活电路,其特征在于,所述选通电路还包括:滤波电容C4;所述滤波电容C4的一端与所述两个电阻的R16和R17的串接点连接,所述滤波电容C4的另一端接地。
11.根据权利要求9所述的充放电激活电路,其特征在于,所述充电激活电路包括:RC并联回路和光耦隔离器;
所述RC并联回路的第一端与所述电池组的充电正极电连接;所述光耦隔离器中发光二极管的正极连接于所述RC并联回路的第二端,且所述发光二极管的负极串联二极管D4后也连接于所述RC并联回路的第二端,且所述二极管D4的负极与所述RC并联回路的第二端端电连接;所述光耦隔离器中光敏PNP三极管的发射极与所述P-MOS管Q4的漏极电连接,所述光敏PNP三极管的集电极与所述P-MOS管Q4的源极电连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于添可智能科技有限公司,未经添可智能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810980928.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。