[发明专利]一种微加工连线方法

说明书

本发明公开了一种微加工连线方法，包括步骤：在振元电极表面旋涂光刻胶，形成绝缘隔离层；通过曝光机，采用四面反射镜，对所述振元电极进行掩膜曝光处理，并在曝光后进行显影处理，在所述绝缘隔离层上开出连接窗口；在所述绝缘隔离层上溅射导电层，并进行掩膜曝光处理，形成连接线路。通过采用本发明提供的一种微加工连线方法，能够将超声面阵振元连接做得非常小，可靠性很高，该方法非常适合运用于高频超声面阵振元连接中，且充分体现了高频超声换能器的性能。

技术领域

本发明涉及微加工技术领域，尤其是涉及一种微加工连线方法。

背景技术

在传统的超声列阵的振元电极连接柔性电路，都是通过环氧树脂和振元对准粘结起来的。这种连接方法广泛的运用在中低频超声换能器阵列中，体现出容易制造、弯折性能好的、连接密度高的优点。但是这项技术运用在高频超声面阵中的时候，就存在无法忽视的不足：第一，在粘结的过程中，树脂的厚度因为过厚，直接影响到了高频超声换能器的性能。第二，高频面阵振元尺寸小、振元数量多，柔性电路与振元间的对准粘合非常困难。所以这种广泛运用于中低频超声换能器阵列中的粘结方法，并不适合高频超声换能器。

现有技术中，中国专利CN201510736310提供了一种微加工方法，在硅片表面形成一个容纳导线的槽，槽的形状为V形、梯形、U形、弧形、方形或其组合的凹槽、凹坑或者通孔，然后再在其上制作金属电极，从而实现百微米到毫米量级导线的直接引出结构。该专利通过提供一种芯片上的引出结构，增大焊接的面积，以此达到提高芯片和导线焊接牢固度的效果，但是该技术也存在明显的不足之处：第一，会将原有装置复杂化，第二，一定程度上局限了装置的体积，在很小的装置中这种技术的运用难度较大。

发明内容

针对现有技术的缺点，本发明的目的是提供一种微加工连线方法，通过采用该方法，能够将超声面阵振元连接做得非常小，可靠性很高，该方法非常适合运用于高频超声面阵振元连接中，且充分体现了高频超声换能器的性能。

为实现上述目的，本发明提供了一种微加工连线方法，包括如下步骤：

S1：在振元电极表面旋涂光刻胶，形成绝缘隔离层；

S2：通过曝光机，采用四面反射镜，对所述振元电极进行掩膜曝光处理，并在曝光后进行显影处理，在所述绝缘隔离层上开出连接窗口；

S3：在经步骤S2处理的所述绝缘隔离层上溅射导电层，并进行掩膜曝光处理，形成连接线路。

与现有技术相比，通过在振元电极表面旋涂绝缘隔离层，掩模曝光光刻等技术形成非常薄的振元互连层，充分体现高频超声换能器的性能；能够将超声面阵振元连接做得非常小，可靠性很高；该方法非常适合运用于高频超声面阵振元连接中。

根据本发明另一具体实施方式，在步骤S1中，所述光刻胶为SU-8光刻胶2000系列。

根据本发明另一具体实施方式，所述绝缘隔离层的厚度为1-2μm。

根据本发明另一具体实施方式，在步骤S3中，所述导电层为银导电层。

根据本发明另一具体实施方式，所述四面反射镜包括顶端、底端和侧壁；所述顶端和所述底端开口，所述顶端的开口大于所述底端的开口；所述侧壁包括四面镜子，四面所述镜子均倾斜设置，且依次相接。

根据本发明另一具体实施方式，在步骤S1中，通过旋涂机，在振元电极表面旋涂光刻胶，形成绝缘隔离层。

根据本发明另一具体实施方式，在步骤S2中，所述连接窗口为矩形。

根据本发明另一具体实施方式，所述矩形为正方形，所述正方形的边长的阈值范围是10～99μm。