[发明专利]电子设备、OLED显示屏及其制作方法有效
| 申请号: | 201810975329.8 | 申请日: | 2018-08-24 |
| 公开(公告)号: | CN109166887B | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
| 发明(设计)人: | 袁学剑 | 申请(专利权)人: | OPPO(重庆)智能科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;G09F9/33 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 钟子敏 |
| 地址: | 401120 重庆*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电子设备 oled 显示屏 及其 制作方法 | ||
本申请公开了一种电子设备、OLED显示屏及其制作方法。该OLED显示屏包括OLED组件和红外阻塞膜,OLED组件具有第一透光区和第一非透光区,及红外阻塞膜具有与第一透光区对应的第二透光区和与第一非透光区对应的第二非透光区,红外阻塞膜层叠设置于OLED组件的背光侧,第二透光区与第一透光区对应重合,第二非透光区与第一非透光区对应重合。通过于OLED组件的背光侧对应设置红外阻塞膜,本申请有利于该OLED显示屏在电子设备上实现全面屏的显示效果。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别是涉及一种电子设备、OLED显示屏及其制作方法。
背景技术
全面屏是手机业界对于超高屏占比手机设计的一个比较宽泛的定义。从字面上解释就是手机的正面全部都是屏幕,手机的四个边框位置都是采用无边框设计,追求接近100%的屏占比。全面屏手机首先提升了手机的颜值,让手机看上去更有科技感,另外同样机身正面的面积可以容纳更大的屏幕,对于视觉体验有着显著的提升。而当下手机屏幕多采用OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)显示屏,如何采用OLED显示屏实现全面屏的显示效果是一大难点。
目前全面屏的红外传感方案为将屏幕某位置挖空或做成透明,挖空或透明位置下面放置红外传感器,红外传感器透过挖空或透明区域发射和接收红外光,从而实现传感功能。若采用在屏幕上挖空的方案,则屏幕上的挖空区域无法实现显示功能。若采用将屏幕上的某区域做成透明,透明区域不能显示或者难以实现与屏幕其它区域一致的显示效果,因此制约了全面屏的屏幕表现力。
发明内容
为解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是:提供一种OLED显示屏。该OLED显示屏包括OLED组件和红外阻塞膜,OLED组件具有第一透光区和第一非透光区,及红外阻塞膜具有与第一透光区对应的第二透光区和与第一非透光区对应的第二非透光区,红外阻塞膜层叠设置于OLED组件的背光侧,使得第二透光区与第一透光区对应重合,及第二非透光区与第一非透光区对应重合。
为解决上述技术问题,本申请采用的另一个技术方案是:提供一种电子设备。该电子设备包括如上述的OLED显示屏及贴设于OLED显示屏下的红外传感器。
为解决上述技术问题,本申请采用的另一个技术方案是:提供一种OLED显示屏的制作方法。该方法包括:提供一OLED组件,OLED组件具有第一透光区和第一非透光区;于OLED组件的一侧形成一红外阻塞膜,红外阻塞膜具有与第一透光区对应重合的第二透光区和与第一非透光区对应重合的第二非透光区。
本申请的有益效果是:本申请通过于OLED组件的发光侧相反的背光侧上设置红外阻塞膜,且红外阻塞膜上的第二透光区与OLED组件的第一透光区对应重合,及红外阻塞膜上的第二非透光区与OLED组件的第一非透光区对应重合,进而在该OLED显示屏背光侧设置红外传感器时,红外光能够从对应重合的第二透光区、第一透光区向外界发射,而第二非透光区对第一非透光区形成遮挡,第二非透光区能够吸收和/或反射照射向第一非透光区的红外线,避免OLED组件中位于第一非透光区的电子元件受红外线照射引起的显示效果不佳及材料老化导致显示残影的问题,而且OLED显示屏上对应设有红外传感器件的区域能够正常显示,有利于其在电子设备上实现全面屏的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图,其中:
图1是本申请实施例提供的OLED显示屏的第一种结构示意图;
图2是图1所示OLED显示屏中OLED组件的俯视结构示意图;
图3是图1所示OLED显示屏中红外阻塞膜的俯视结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





