[发明专利]一种双相硅加硅化镁纳米复合材料及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 201810974645.3 | 申请日： | 2018-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN109055839A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 宋广生;张世宏 | 申请（专利权）人： | 浙江泰科新材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C22C23/00 | 分类号： | C22C23/00;C22C1/10;C22C29/18 |
| 代理公司： | 安徽知问律师事务所 34134 | 代理人： | 郭大美;闫飞 |
| 地址： | 312400 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米复合材料 硅化镁 微结构 双相 导热率 制备 锂离子电池负极材料 合金微观结构 纳米材料技术 材料形态 发明材料 放电容量 工作电压 合金组成 纳米结构 热电性能 声子散射 常规的 界面处 减小 优选 应用 | ||
1.一种双相硅加硅化镁纳米复合材料，其特征在于，具有33.3at％至54.1at％的Si含量并且包含具有纳米结构Si生成物的Mg2Si基体的微结构。
2.根据权利要求1所述的双相硅加硅化镁纳米复合材料，其特征在于，其中Mg2Si相和Si相基本同时实现纳米结构化。
3.根据权利要求2所述的双相硅加硅化镁纳米复合材料，其特征在于，其中Si生成物包含纳米尺寸的共晶-Si相。
4.根据权利要求3所述的双相硅加硅化镁纳米复合材料，其中纳米结构Si生成物包含纳米纤维形貌Si相。
5.根据权利要求4所述的双相硅加硅化镁纳米复合材料，其中Si生成物包含位于Mg2Si晶粒之间的纳米Si相。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的双相硅加硅化镁纳米复合材料，其中所述纳米复合材料在773K具有0.4至0.8的ZT值。
7.一种根据权利要求1至6中任一项所述双相硅加硅化镁纳米复合材料的制备方法，其包括以下具体步骤：制备Mg-Si合金熔体，其中所述Mg-Si合金具有33.3at％至54.1at％的Si含量；以及使Mg-Si合金熔体迅速固化，基本同时形成Mg2Si相和纳米结构Si相，并由此制备出Mg2Si/Si纳米复合材料。
8.根据权利要求7所述的双相硅加硅化镁纳米复合材料的制备方法，其中快速凝固步骤采用至少104K/s的冷却速率。
9.根据权利要求7至8中任一项所述的双相硅加硅化镁纳米复合材料的制备方法，其中所述Mg-Si合金熔体通过将选定的Mg-Si合金加热至高于各个Mg-Si合金组合物的液相线温度来加以制备。
10.一种权利要求1至6中任一项所述的双相硅加硅化镁纳米复合材料在纳米结构半导体、热电材料和锂离子电池高容量负极材料的应用。
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