[发明专利]一种辐射制冷薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种辐射制冷薄膜，其特征在于：包括基膜、设置在基膜下表面的反射层以及硬化层，所述硬化层包括上硬化层和下硬化层，所述上硬化层设于基膜的上表面，所述下硬化层设于反射层下表面；其中，所述基膜包括高分子聚合物、微米球体和抗静电剂，所述高分子聚合物为PET、PBT、TPX、PC、PE、PP、PVC、PMMA、PS中的一种，所述微米球体为质量比为3：1的非金属氧化物和金属氧化物，非金属氧化物为SiO₂、SiC、SiS₂中的一种，金属氧化物为TiO₂、BaSO₄、CaCO₃中的一种，所述抗静电剂为纳米级氧化铟锡或乙氧基化脂肪族烷基胺类中的一种，所述高分子聚合物、微米球体与抗静电剂的质量比为75～98:1～20:1～5。

2.根据权利要求1所述的辐射制冷薄膜，其特征在于：所述反射层由金、银、铝、铬中的一种或多种的组合制成。

3.根据权利要求1所述的辐射制冷薄膜，其特征在于：所述反射层为金属材料与陶瓷材料的结合制成，所述金属材料为金、银、铝、铬、钛中的一种或几种的组合，所述陶瓷材料为Al₂O₃、TiO₂、SiO₂、Nb₂O₃、HfO₂中的一种或几种的组合。

4.根据权利要求1所述的辐射制冷薄膜，其特征在于：所述上硬化层包括第一高分子树脂、紫外线吸收剂和纳米SiO₂，所述下硬化层包括第二高分子树脂，所述第一高分子树脂和第二高分子树脂都为PET、PBT、TPX、PC、PE、PP、PVC、PMMA、PS中的任一种。

5.根据权利要求1所述的辐射制冷薄膜，其特征在于：所述基膜的厚度为40～100μm。

6.根据权利要求1所述的辐射制冷薄膜，其特征在于：所述反射层的厚度为20～250nm。

7.根据权利要求1所述的辐射制冷薄膜，其特征在于：所述硬化层的厚度为1～20μm。

8.根据权利要求1所述的辐射制冷薄膜，其特征在于：所述微米球体的粒径为1～15μm。