[发明专利]N型双面太阳能电池的制作方法及其正面结构的制作方法在审

专利信息
申请号: 201810973212.6 申请日: 2018-08-24
公开(公告)号: CN109103299A 公开(公告)日: 2018-12-28
发明(设计)人: 郭瑶;郑霈霆;张昕宇;金浩;杨洁 申请(专利权)人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0224
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 314416 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 银栅线电极 线电极 铝栅 双面太阳能电池 正面结构 制作 光电转换效率 降低接触电阻 减反射层 良好接触 欧姆接触 铝材料 导出
【说明书】:

发明公开了一种N型双面太阳能电池的制作方法及其正面结构的制作方法,形成的正面银栅线电极透过减反射层与铝栅线电极接触,以通过正面银栅线电极导出铝栅线电极上的电流,其中,形成多个铝栅线电极与P型扩散层直接接触,由于铝材料具有良好接触特性,能够使正面银栅线电极与P型扩散层之间形成良好的欧姆接触;同时,正面银栅线电极与铝栅线电极结合还能够降低接触电阻,提高了N型双面太阳能电池的光电转换效率。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域,更为具体的说,涉及一种N型双面太阳能电池的制作方法及其正面结构的制作方法。

背景技术

常规的化石燃料日益消耗殆尽,在现有的可持续能源中,太阳能无疑是一种清洁、普遍和潜力高的替代能源。太阳能电池,也称光伏电池,是一种将太阳的光能直接转化为电能的半导体器件。由于它是绿色环保产品,不会引起环境污染,而且太阳能是可再生资源,所以在当今能源短缺的情形下,太阳能电池是一种有广阔发展前途的新型能源,并受到了广泛的关注。

在太阳能电池所使用的衬底材料中,N型硅衬底比P型硅衬底具有更长的少子寿命,N型硅衬底的光衰减性能则更为稳定,因此,在N型硅衬底上进行电池制作形成的N型太阳能电池片的相比P型太阳能电池片优势较大。但是,现有的N型双面太阳能的光电转换效率有待提高。

发明内容

有鉴于此,本发明提供了一种N型双面太阳能电池的制作方法及其正面结构的制作方法,以解决现有N型双面太阳能电池存在的问题。

为实现上述目的,本发明提供的技术方案如下:

一种N型双面太阳能电池的正面结构制作方法,包括:

提供一基底,所述基底包括N型衬底,且所述N型衬底的正面形成有P型扩散层;

在所述P型扩散层背离所述N型衬底一侧形成正面电极层,所述正面电极层包括多个铝栅线电极;

在所述正面电极层背离所述N型衬底一侧形成减反射层;

在所述减反射层背离所述N型衬底一侧形成多个正面银栅线电极,且所述正面银栅线电极与所述铝栅线电极的图案相同且位置相对应;

采用烧结工艺使所述正面银栅线电极与所述铝栅线电极相接触。

可选的,所述N型衬底的正面为制绒面。

可选的,所述铝栅线电极的宽度范围为47μm-53μm,包括端点值,所述铝栅线电极的厚度范围为45μm-50μm,包括端点值。

可选的,所述正面银栅线电极的宽度范围为25μm-35μm,包括端点值,所述正面银栅线电极的厚度范围为32μm-35μm,包括端点值。

相应的,本发明还提供了一种N型双面太阳能电池的制作方法,包括:

提供一基底,所述基底包括N型衬底,且所述N型衬底的正面形成有P型扩散层,所述N型衬底的背面形成有钝化层;

在所述P型扩散层背离所述N型衬底一侧形成正面电极层,所述正面电极层包括多个铝栅线电极;

在所述正面电极层背离所述N型衬底一侧形成减反射层;

在所述钝化层背离所述N型衬底一侧形成多个背面栅线电极;

在所述减反射层背离所述N型衬底一侧形成多个正面银栅线电极,且所述正面银栅线电极与所述铝栅线电极的图案相同且位置相对应;

采用烧结工艺使所述正面银栅线电极与所述铝栅线电极相接触,及使所述背面栅线电极与所述N型衬底接触。

可选的,所述基底还包括:

位于所述N型衬底与所述钝化层之间的N型扩散层,其中,所述背面栅线电极与所述N型扩散层接触。

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