[发明专利]双向ESD防护器件

权利要求书

1.一种双向ESD防护器件，其特征在于包括：P型衬底(00)、位于P型衬底上方的N型外延(01)、位于N型外延上方的NTOP层(13)；位于N型外延上方左侧的第一PWELL区(201)、位于第一PWELL区内部上方的第一N+接触区(111)、位于第一PWELL区内部上方的第一P+接触区(211)、位于第一PWELL区内部上方的第一NTOP层(121)；其中第一P+接触区(211)位于第一N+接触区(111)左侧，第一NTOP层(121)位于第一N+接触区(111)右侧；位于N型外延上方右侧的第二PWELL区(202)、位于第二PWELL区内部上方的第二N+接触区(112)、位于第二PWELL区内部上方的第二P+接触区(212)、位于第二PWELL区内部上方的第二NTOP层(122)；其中第二P+接触区(212)位于第二N+接触区(112)右侧，第二NTOP层(122)位于第二N+接触区(112)左侧；其中NTOP层(13)位于N型外延(01)上表面，且与第一PWELL区(201)、第二PWELL区(202)相离；第一N+接触区(111)与第一P+接触区(211)通过金属短接形成金属阳极(31)，第二N+接触区(112)、第二P+接触区(212)通过金属短接形成金属阴极(32)。

2.根据权利要求1所述的一种双向ESD防护器件，其特征在于：第一PWELL区(201)与第二PWELL区(202)中间设有NWELL区(10)，NTOP层(13)位于NWELL区(10)内部上方。

3.根据权利要求2所述的一种双向ESD防护器件，其特征在于：第一PWELL区(201)与NWELL区(10)之间设有第一N+低触发区(141)，且第一N+低触发区(141)一部分位于第一PWELL区(201)内、一部分位于NWELL区(10)内；第二PWELL区(202)与NWELL区(10)之间设有第二N+低触发区(142)，且第二N+低触发区(142)一部分在第二PWELL区(202)内、一部分在NWELL区(10)内。

4.根据权利要求3所述的一种双向ESD防护器件，其特征在于：第一NTOP层(121)与第二NTOP层(122)均为连续的一个区域，或不连续的多个间隔子区域。

5.根据权利要求4所述的一种双向ESD防护器件，其特征在于：第一N+接触区(111)与第一NTOP层(121)最左边的子区域之间上方、第一NTOP层(121)相邻子区域之间上方、第一NTOP层(121)最右边子区域与第一N+低触发区(141)之间上方、第一N+低触发区(141)与NTOP层(13)之间上方、NTOP层(13)与第二N+低触发区(142)之间上方、第二N+低触发区(142)与第二NTOP层(122)最左边子区域之间上方、第二NTOP层(122)相邻子区域之间上方、第二NTOP层(122)最右侧子区域与第二N+接触区(112)之间上方均设有栅氧化层(03)，栅氧化层(03)上方设有栅电极(04)。

6.根据权利要求5所述的一种双向ESD防护器件，其特征在于：所述栅电极(04)为多晶硅电极或金属电极。

7.根据权利要求1～6任意一项所述的一种双向ESD防护器件，其特征在于：所述器件中各掺杂类型相应变为相反的掺杂，即P型掺杂变为N型掺杂的同时N型掺杂变为P型掺杂。