[发明专利]闩锁免疫的双向ESD防护器件

权利要求书

1.一种闩锁免疫的双向ESD防护器件，其特征在于包括：P型衬底(00)、位于P型衬底上方的N型区(01)；位于N型区(01)内部上方左侧的第一P+接触区(211)、位于N型区(01)内部上方左侧的第一N+接触区(111)、位于N型区(01)内部上方左侧的第一P+隔离区(221)、位于N型区(01)内部的第一P型埋层(231)；其中，第一P+接触区(211)位于第一N+接触区(111)左侧，第一P+隔离区(221)位于第一N+接触区(111)右侧，第一P型埋层(231)位于第一N+接触区(111)、第一P+接触区(211)、第一P+隔离区(221)下方且与第一N+接触区(111)、第一P+接触区(211)、第一P+隔离区(221)相切；位于N型区(01)内部上方的TOP层(24)；位于N型区(01)内部上方右侧的第二P+接触区(212)、位于N型区(01)内部上方右侧的第二N+接触区(112)、位于N型区(01)内部上方右侧的第二P+隔离区(222)、位于N型区(01)内部第二P型埋层(232)；其中，第二P+接触区(212)位于第二N+接触区(112)右侧，第二P+隔离区(222)位于第二N+接触区(112)左侧，第二P型埋层(232)位于第二N+接触区(112)、第二P+接触区(212)、第二P+隔离区(222)下方且与第二N+接触区(112)、第二P+接触区(212)、第二P+隔离区(222)相切；第一N+接触区(111)与第一P+接触区(211)通过金属短接形成金属阳极(31)；第二N+接触区(112)、第二P+接触区(212)通过金属短接形成金属阴极(32)；N型区(01)为NWELL区或N型外延层。

2.根据权利要求1所述的一种闩锁免疫的双向ESD防护器件，其特征在于：TOP层(24)为P型掺杂，或N型掺杂。

3.根据权利要求1所述的一种闩锁免疫的双向ESD防护器件，其特征在于：TOP层(24)为连续的一个区域，或不连续的多个间隔子区域。

4.根据权利要求1所述的一种闩锁免疫的双向ESD防护器件，其特征在于：第一N+接触区(111)、第一P+接触区(211)和第一P+隔离区(221)通过金属短接形成金属阳极(31)；第二N+接触区(112)、第二P+接触区(212)和第二P+隔离区(222)通过金属短接形成金属阴极(32)。

5.根据权利要求1所述的一种闩锁免疫的双向ESD防护器件，其特征在于：器件上表面设有栅氧化层(030)，且栅氧化层(030)左边与第一P+隔离区(221)相切、右边与第二P+隔离区(222)相切，栅氧化层(030)上设有多晶硅或金属栅极(040)。

6.根据权利要求1～5任意一项所述的一种闩锁免疫的双向ESD防护器件，其特征在于：所述器件中各掺杂类型相应变为相反的掺杂，即P型掺杂变为N型掺杂的同时N型掺杂变为P型掺杂。