[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底表面具有堆叠结构；

形成贯穿所述堆叠结构的沟道孔；

在所述沟道孔的内壁表面形成一材料层，所述材料层的厚度沿沟道孔底部至沟道孔顶部方向逐渐增大；

对所述材料层进行湿法刻蚀，至少部分去除所述沟道孔底部的材料层而保留所述沟道孔侧壁表面部分厚度的材料层作为侧墙，所述侧墙对沟道孔的侧壁起到保护作用，所述湿法刻蚀包括：依次进行的化学液浸泡阶段和冲洗阶段；其中，

所述化学液浸泡阶段包括：将形成有材料层的衬底浸泡于刻蚀溶液中；

所述冲洗阶段包括：将形成有材料层的衬底从刻蚀溶液中取出，浸泡于去离子水中，使所述沟道孔内的刻蚀溶液浓度自沟道孔底部向顶部方向逐渐降低。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述材料层的最大厚度为最小厚度的1.5～2倍。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺形成所述材料层，且在形成所述材料层的过程中，衬底进行旋转，将衬底的转速设置为2000转/秒～3500转/秒。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述材料层的过程中，将沉积气体自衬底上方喷向所述衬底。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述材料层的材料包括氧化硅、氮氧化硅、氮化硅中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述化学液浸泡阶段中，将形成有材料层的衬底浸泡于刻蚀溶液中30s～60s。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述冲洗阶段包括：将去离子水在平行衬底表面方向进行流动冲洗，然后停止所述流动冲洗，保持所述衬底继续浸泡于所述去离子水中。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述流动冲洗过程持续5s～10s；停止流动冲洗后，在去离子水中浸泡持续300s～600s。

9.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀包括多次循环的所述化学液浸泡阶段和所述冲洗阶段。

10.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：至少去除部分所述沟道孔底部的材料层之后，刻蚀所述沟道孔底部的衬底；去除所述沟道孔侧壁表面剩余的材料层；在所述沟道孔内形成沟道孔结构。

11.根据权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述沟道孔结构包括：位于所述沟道孔底部的衬底表面的外延半导体层；覆盖所述沟道孔侧壁表面的功能侧墙、覆盖所述功能侧墙以及半导体外延层的沟道层、以及位于所述沟道层表面填充满所述沟道孔的沟道介质层。