[发明专利]一种星载K波段多通道T/R组件构建方法

说明书

本发明涉及微波毫米波集成电路领域，公开了一种星载K波段多通道T/R组件构建方法。具体包括以下过程：步骤1、根据确定的T/R组件指标要求,规划收发多功能芯片；步骤2，根据T/R组件移相衰减控制要求，规划控制多功能芯片；步骤3，每一个通道集成一个收发多功能芯片和一个控制多功能芯片。采用上述技术方案的有益效果为：本发明提供的方案可实现如下效果：本方案可减小多通道T/R组件通道间距，可以满足毫米波宽角扫描相控阵系统低阵元间距布阵要求。本方案减少通道射频芯片数量，仅需要2种多功能集成单片集成电路及少量模拟控制芯片就可以实现T/R组件功能，简少组装工作量，降低元器件故障率，提升组件MTBF，满足航天高可靠性要求。

技术领域

本发明涉及微波毫米波集成电路领域，特别是一种星载K波段多通道T/R组件构建方法。

背景技术

目前，国内工程化应用小型化T/R组件多采用单功能微波单片集成电路，基于低温共烧陶瓷技术(LTCC)或者复合多层PCB进行集成。

上述集成方式受限于器件尺寸、数量及微组装工艺，布阵间距大，不能满足毫米波相控阵系统低阵元间距布阵要求，不利于毫米波相控阵集成。同时，采用单功能微波单片集成电路进行T/R组件设计，每通道T/R涉及数十种器件，故障率相对较高，影响组件MTBF(Mean Time Between Failure)不利于满足星载产品高可靠性要求。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：针对上述存在的问题，提供了一种星载K波段多通道T/R组件构建方法。

本发明采用的技术方案如下：一种星载K波段多通道T/R组件构建方法，具体包括以下过程：步骤1、根据确定的T/R组件指标要求,规划收发多功能芯片；步骤2，根据T/R组件移相衰减控制要求，规划控制多功能芯片；步骤3，每一个通道集成一个收发多功能芯片和一个控制多功能芯片，并配以少量的外围控制电路。

进一步的，所述步骤1中，收发多功能芯片设置Rx通路放大器和Tx通路放大器，所述Rx通路放大器和Tx通路放大器的一端采用一个单刀双掷开关控制选通，所述Rx通路放大器和Tx通路放大器的另一端采用一个单刀双掷开关控制选通，实现接收信号低噪声放大、发射信号功率放大以及收发工作模式切换三个功能。

进一步的,所述步骤2中,控制多功能芯片对输入端的控制信号完成串并转换，并通过地址使能处理；处理后的信号对地址匹配的芯片内移相和衰减电路进行控制。

进一步的，所述地址使能编码方式采用二进制，与控制多功能芯片的接地焊盘进行连接的地址位采用1表示，与控制多功能芯片的接地焊盘没有连接的地址位采用0表示,16通道的控制多功能芯片地址编码分别为：0000、0001、0010、0011、0100、00101、0110、0111、1000、1001、1010、1011、1100、1101、1110、1111。

与现有技术相比，采用上述技术方案的有益效果为：

(1)本方案可减小多通道T/R组件通道间距，可以满足毫米波宽角扫描相控阵系统低阵元间距布阵要求。

(2)本方案减少通道射频芯片数量，仅需要2种多功能集成单片集成电路并配以少量的外围控制电路就可以实现T/R组件功能，简少组装工作量，降低元器件故障率，提升组件MTBF，满足航天高可靠性要求。

附图说明

图1是本发明星载K波段多通道T/R组件构建方法的示意图。

图2是本发明收发多功能芯片方案示意图。

图3是本发明控制多功能芯片方案示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明做进一步描述。