[发明专利]闪存存储装置的命名空间操作方法

说明书

本发明的实施例提出一种闪存存储装置的命名空间操作方法，该方法由存储装置的处理单元执行，包含：从主装置接收命名空间设定更新命令，请求更新命名空间的命名空间长度；判断是否能够支持该更新后的命名空间长度；以及当能够支持该更新后的命名空间长度时，更新命名空间的逻辑‑物理对照表，允许此命名空间存储更新后的命名空间长度的用户数据。

技术领域

本发明涉及闪存存储装置，尤指一种闪存存储装置的命名空间操作方法。

背景技术

闪存存储装置通常分为NOR闪存存储装置与NAND闪存存储装置。NOR 闪存存储装置为随机存取装置，主机端(Host)可于地址引脚上提供任何存取 NOR闪存存储装置的地址，并及时地从NOR闪存存储装置的数据引脚上获得存储于该地址上的数据。相反地，NAND闪存存储装置并非随机存取，而是序列存取。NAND闪存存储装置无法像NOR闪存存储装置一样，可以存取任何随机地址，主机端反而需要写入序列的字节(Bytes)的值到NAND闪存存储装置中，用以定义请求命令(Command)的类型(如，读取、写入、抹除等)，以及用在此命令上的地址。地址可指向一个页面(闪存存储装置中写入操作的最小数据块)或一个区块(闪存存储装置中抹除操作的最小数据块)。

快速非易失性存储器(Non-Volatile Memory Express，NVMe)的命名空间管理命令(Namespace Management command)可用于建立(Create)及删除 (Delete)命名空间。除了以上所述的操作外，使用者可能需要增加命名空间的长度或在不同命名空间之间进行数据迁移的进阶操作。然而，目前的规范并不支持这些进阶操作。因此，本发明提出一种闪存存储装置的命名空间操作方法，用以支持这些进阶操作。

发明内容

有鉴于此，如何减轻或消除上述相关领域的缺失，实为有待解决的问题。

本发明提供一种闪存存储装置的命名空间操作方法的实施例，由存储装置的处理单元执行，其包含：从主装置接收命名空间设定更新命令，请求更新命名空间的命名空间长度；判断是否能够支持该更新后的命名空间长度；以及当能够支持该更新后的命名空间长度时，更新命名空间的逻辑-物理对照表，允许此命名空间存储更新后的命名空间长度的用户数据。

本发明还提供一种闪存存储装置的命名空间操作方法的实施例，由存储装置的处理单元执行，其包含：从主装置接收跨命名空间数据迁移命令，请求将第一命名空间的第一逻辑地址的用户数据迁移至第二命名空间的第二逻辑地址的存储空间；剪下第一逻辑-物理对照表中第一逻辑地址所对应的第一物理地址信息；将第一物理地址信息贴上第二逻辑-物理对照表中第二逻辑地址所对应的项目。

上述实施例的优点之一是，当命名空间被建立及依附后，还允许主装置可以增加此命名空间的长度及容量。

上述实施例的另一优点，因为不牵涉不同命名空间的任何实际的用户数据迁移，避免耗费空间及带宽来存储及传输一连串的读取及写入命令以及完成组件。

本发明的其他优点将配合以下的说明和附图进行更详细的解说。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。

图1为依据本发明实施例的闪存存储器的系统架构示意图。

图2为存取子接口与多个存储子单元的连接示意图。

图3为物理存储对照示意图。

图4为存储单元的数据组织示意图。

图5为命令队列示意图。

图6为管理或数据存取命令的执行步骤的流程图。

图7为命名空间建立及依附的顺序图。