[发明专利]一种复合结构的金属氧化物半导体二极管在审
| 申请号： | 201810970629.7 | 申请日： | 2018-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN109119489A | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;杨梦琦;何文静;任敏;张金平;高巍;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 正向导通压降 反向耐压 金属氧化物半导体二极管 半导体二极管 金属氧化物 二极管 横向电场 正电荷 浅槽 柱区 功率半导体技术 低阻通路 反向阻断 复合结构 矩形分布 正向导通 纵向电场 负电荷 积累层 漂移区 耗尽 引入 流动 保证 | ||
1.一种复合结构的金属氧化物半导体二极管，包括从下至上依次层叠设置的阴极电极(1)、N+衬底(2)、N型漂移区(3)、N-掺杂区(4)以及阳极电极(9)；所述阳极电极(9)的两端垂直向下延伸入N-掺杂区(4)中，N-掺杂区(4)与阳极电极(9)向下延伸的部分之间具有N型重掺杂区(5)；两侧的N型重掺杂区(5)之间的N-掺杂区(4)上表面具有平面栅结构，所述平面栅结构位于阳极电极(9)中，所述平面栅结构包括栅氧化层(10)和位于栅氧化层(10)上表面的多晶硅栅电极(11)，栅氧化层(10)下表面与部分N型重掺杂区(5)上表面接触；所述阳极电极(9)两侧向下延伸部分的下方具有P型重掺杂区(6)，所述P型重掺杂区(6)的一侧侧面与N型重掺杂区(5)的侧面接触，所述P型重掺杂区(6)与阳极电极(9)短接，N型重掺杂区(5)通过P型重掺杂区(6)与阳极电极(9)短接，所述P型重掺杂区(6)的下表面与N型漂移区(3)上表面之间具有P型层(7)，其特征在于：所述平面栅结构下方具有二氧化硅沟槽(12)，所述二氧化硅沟槽(12)的顶部与多晶硅栅电极(11)接触，并从两侧的P型层(7)之间延伸入N型漂移区(3)中，所述二氧化硅沟槽(12)中填充有正电荷，所述N型漂移区(3)中具有P型埋层(8)，所述P型埋层(8)位于二氧化硅沟槽(12)的正下方。
2.根据权利要求1所述的一种复合结构的金属氧化物半导体二极管，其特征在于，所述P型层(7)的掺杂浓度大于N-掺杂区(4)的掺杂浓度两个数量级，所述N型漂移区(3)的掺杂浓度大于N-掺杂区(4)的掺杂浓度一到两个数量级。
3.根据权利要求1所述的一种复合结构的金属氧化物半导体二极管，其特征在于，所述栅氧化层(10)是薄栅氧化层，其厚度为5nm-100nm。
4.根据权利要求1所述的一种复合结构的金属氧化物半导体二极管，其特征在于，所述二氧化硅沟槽(12)中填充的正电荷通过淀积或离子注入负电性材料形成。
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