[发明专利]硅岛结构及其制作方法

权利要求书

1.一种硅岛结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一硅衬底，并在所述硅衬底内形成多个第一沟槽；

形成绝缘材料，所述绝缘材料至少填充在部分所述第一沟槽的底部，以在相应的所述第一沟槽内形成第二沟槽；

形成保护层，所述保护层覆盖所述硅衬底以及所述第二沟槽的侧壁及底部；

刻蚀去除所述第二沟槽底部的所述保护层以及所述第二沟槽下方的所述绝缘材料，以露出所述第一沟槽；

氧化被所述第一沟槽侧壁暴露出的所述硅衬底，至相邻所述第一沟槽未被所述保护层覆盖的侧壁之间的所述硅衬底全部氧化，以形成氧化层；

去除所述第二沟槽侧壁的所述保护层；以及，

填充隔离材料在所述第二凹槽内形成隔离结构，在相邻的所述隔离结构之间的所述硅衬底构成硅岛。

2.如权利要求1所述的硅岛结构的制作方法，其特征在于，在形成所述第一沟槽之前，还包括：在所述硅衬底上依次形成垫氧化层与阻挡层。

3.如权利要求2所述的硅岛结构的制作方法，其特征在于，形成所述第一沟槽的步骤包括：

形成图形化的光刻胶层在所述阻挡层上；以及，

以所述图形化的光刻胶层为掩膜，依次刻蚀所述阻挡层、所述垫氧化层以及部分厚度的所述硅衬底，以形成所述第一沟槽。

4.如权利要求3所述的硅岛结构的制作方法，其特征在于，在所述第一沟槽内形成第二沟槽的步骤包括：

形成绝缘材料在所述硅衬底上，所述绝缘材料覆盖所述阻挡层并至少填满部分所述第一沟槽；

平坦化所述绝缘材料，至暴露出所述阻挡层；以及，

刻蚀至少部分第一沟槽内所述绝缘材料，至剩余部分厚度的所述绝缘材料，以至少在部分所述第一沟槽内形成第二沟槽。

5.如权利要求4所述的硅岛结构的制作方法，其特征在于，所述垫氧化层、绝缘材料以及隔离材料的材质包含氧化硅，所述阻挡层以及保护层的材质包含氮化硅。

6.如权利要求1所述的硅岛结构的制作方法，其特征在于，采用干法刻蚀去除所述第二沟槽底部的所述保护层，采用湿法浸泡去除所述第一沟槽内的所述绝缘材料。

7.如权利要求1所述的硅岛结构的制作方法，其特征在于，采用湿法氧化工艺氧化所述第一沟槽侧壁暴露出的所述硅衬底。

8.如权利要求1所述的硅岛结构的制作方法，其特征在于，填充隔离材料在所述第二凹槽内形成隔离结构的步骤包括：

形成隔离材料，所述隔离材料覆盖所述保护层并填满所述第二沟槽；

平坦化所述隔离材料，至暴露出所述保护层；以及，

去除所述硅衬底上的所述保护层。

9.一种硅岛结构，其特征在于，采用如权利要求1～8任一项所述的硅岛结构的制作方法制作而成，所述硅岛结构包括：

硅衬底；

多个隔离结构，位于所述硅衬底内，相邻所述隔离结构之间的所述硅衬底构成硅岛；以及

氧化层，至少位于部分所述隔离结构与所述硅岛下方的所述硅衬底内，且所述氧化层与所述隔离结构相接触。

10.如权利要求9所述的硅岛结构，其特征在于，还包括：位于所述硅衬底上的垫氧化层，所述隔离结构贯穿所述垫氧化层。

11.如权利要求10所述的硅岛结构，其特征在于，所述隔离结构的上表面高于所述垫氧化层的上表面。