[发明专利]光掩膜版保护膜的去除系统及方法在审
| 申请号: | 201810967179.6 | 申请日: | 2018-08-23 |
| 公开(公告)号: | CN110858057A | 公开(公告)日: | 2020-03-03 |
| 发明(设计)人: | 高丁山 | 申请(专利权)人: | 芯恩(青岛)集成电路有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/82 | 分类号: | G03F1/82;G03F1/48 |
| 代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
| 地址: | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码: | 山东;37 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光掩膜版 保护膜 去除 系统 方法 | ||
本发明提供一种光掩膜版保护膜的去除系统及方法,光掩膜版保护膜的去除系统包括:气罩,底部设有凹槽,顶部设有与所述凹槽相连通的通孔;抽真空装置;吸气管路,一端经由所述通孔与所述凹槽相连通,另一端与所述抽真空装置相连接。本发明的光掩膜版保护膜的去除系统可以在去除光掩膜版上的保护膜时先采用真空抽气的方式去除保护膜层,然后再去除环形边框,这样在保护膜去除的过程中就不会有保护膜层掉落在光掩膜版上,不会对光掩膜版造成污染,从而提升良率,节约成本。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,特别是涉及一种光掩膜版保护膜的去除系统及方法。
背景技术
现有技术中,为了防止对光掩膜版的图形区域造成污染,光掩膜版的表面都会设置保护膜(Pellice)用于对所述光掩膜版进行保护,所述保护膜包括环形边框及覆盖于所述环形边框上的保护膜层。在所述光掩膜版使用的过程中,需要定期对所述光掩膜版进行维护清洗,此时,需要去除位于所述光掩膜版上的所述保护膜;现有的方法一般为将表面设有所述保护膜的所述光掩膜版加热后或未进行加热直接整体拆除所述保护膜(即将所述环形边框及所述保护膜层一起拆除),然后,采用上述方式拆除所述保护膜的过程中,所述保护膜层容易破裂掉落在所述光掩膜版的图形区域而污染所述光掩膜版,从而造成所述光掩膜版的报废。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种光掩膜版保护膜的去除系统及方法,用于解决现有技术中的拆除保护模时保护膜层容易掉落在光掩膜版的图形区域而污染光掩膜版,从而造成光掩膜版报废的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种光掩膜版保护膜的去除系统,所述光掩膜版保护膜的去除系统用于去除光掩膜版的保护膜,所述光掩膜版保护膜的去除系统包括:
气罩,底部设有凹槽,顶部设有与所述凹槽相连通的通孔;
抽真空装置;
吸气管路,一端经由所述通孔与所述凹槽相连通,另一端与所述抽真空装置相连接。
优选地,所述抽真空装置包括真空泵。
优选地,所述光掩膜版保护膜的去除系统还包括开关阀,所述开关阀位于所述吸气管路上。
优选地,所述开关阀位于所述吸气管路与所述气罩的连接处。
优选地,所述凹槽的形状与所述保护膜的形状相同,且所述凹槽的尺寸大于所述保护膜的尺寸。
优选地,所述气罩的形状与所述光掩膜版的形状相同,且所述气罩的尺寸与所述光掩膜版的尺寸相同;所述凹槽的尺寸小于所述光掩膜版的尺寸。
本发明还提供一种光掩膜版保护膜的去除方法,所述光掩膜版保护膜的去除方法包括如下步骤:
1)提供一光掩膜版,所述光掩膜版的表面设置有保护膜,所述保护膜包括位于所述光掩膜版的图形区域外围的环形边框及覆盖于所述环形边框上的保护膜层;
2)采用真空抽气的方式去除所述保护膜层;
3)将所述环形边框从所述光掩膜版上去除。
优选地,步骤2)中,采用真空吸附的方式去除所述保护膜层包括如下步骤:
2-1)提供一如上述任一方案中的所述的光掩膜版保护膜的去除系统;
2-2)将所述气罩扣置于所述光掩膜版上;
2-3)使用所述抽真空装置抽气,以在所述保护膜层表面形成吸力,从而去除所述保护膜层。
优选地,步骤2)与步骤3)之间还包括如下步骤:
将所述气罩从所述光掩膜版上方移开;
所述抽真空装置停止抽气。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芯恩(青岛)集成电路有限公司,未经芯恩(青岛)集成电路有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810967179.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:复合涂料及其制备方法和用途
- 下一篇:换挡装置和变速器
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备





