[发明专利]TDDB渗透电流诱导电熔丝结构及其编程方法

权利要求书

1.一种电熔丝结构，包括：

电路，包括可操作地耦接该电路至电源的电熔丝；以及

冗余电路，响应该电熔丝的断开而可操作地耦接该电源；

其中，该电熔丝响应迁移穿过该电熔丝的邻近该电路的时间相关介电击穿（TDDB）渗透电流而断开，

其中，该冗余电路包括多个冗余电路，该多个冗余电路响应顺序的电熔丝断开而被顺序激活，

其中，该多个冗余电路的后续冗余电路与该多个冗余电路的先前冗余电路相比具有较大的TDDB可靠性。

2.如权利要求1所述的电熔丝结构，其中，该冗余电路与该电路相比具有较大的TDDB可靠性。

3.如权利要求1所述的电熔丝结构，其中，该TDDB渗透电流具有值（I_percolation）：

I_percolation = P_threshold/V

其中，P_threshold是足以断开该电熔丝的功率且在从0.00001瓦至0.01瓦的范围内，以及V是该电路的电压且在从0.3伏至6.5伏的范围内。

4.如权利要求1所述的电熔丝结构，其中，该电熔丝结构不需要辅助熔断电流供应器来断开该电熔丝。

5.如权利要求1所述的电熔丝结构，其中，该电熔丝结构不需要辅助感测电路来确定该电熔丝是否已被断开。

6.一种编程电熔丝结构的方法，该方法包括：

响应迁移穿过电熔丝的邻近电路的时间相关介电击穿（TDDB）渗透电流而断开该电路的该电熔丝，该电熔丝可操作地耦接该电路至电源；以及

响应该电熔丝的该断开而耦接冗余电路至该电源，

其中，该冗余电路包括多个冗余电路，该方法还包括：响应顺序的电熔丝断开而顺序耦接该多个冗余电路至该电源，

其中，该多个冗余电路的后续冗余电路与该多个冗余电路的先前冗余电路相比具有较大的TDDB可靠性。

7.如权利要求6所述的方法，其中，该冗余电路与该电路相比具有较大的TDDB可靠性。

8.如权利要求6所述的方法，其中，该电熔丝结构的该断开不包括施加辅助熔断电流于该电路并穿过该电熔丝。

9.如权利要求6所述的方法，其中，该方法不采用辅助感测电路来确定该电熔丝是否已被断开。

10.如权利要求6所述的方法，其中，该TDDB渗透电流具有足以断开该电熔丝的值（I_percolation）：

I_percolation = P_threshold/V

其中，P_threshold是足以断开该电熔丝的功率且在从0.00001瓦至0.01瓦的范围内，以及V是该电路的电压且在从0.3伏至6.5伏的范围内。

11.如权利要求6所述的方法，还包括，在所述通过该TDDB渗透电流断开该电熔丝之前：

通过向该电熔丝结构施加足以引起该电熔丝结构内的多个电路的故障的电压来向该电熔丝结构施加应力。

12.一种包括电熔丝结构并设于芯片上的中央处理单元（CPU），该电熔丝结构包括：

电路，包括可操作地耦接该电路至电源的电熔丝；以及

冗余电路，响应该电熔丝的断开而可操作地耦接该电源；

其中，该电熔丝响应迁移穿过该电熔丝的邻近该电路的时间相关介电击穿（TDDB）渗透电流而断开，

其中，该冗余电路包括多个冗余电路，该多个冗余电路响应顺序的电熔丝断开而被顺序激活，

其中，该多个冗余电路的后续冗余电路与该多个冗余电路的先前冗余电路相比具有较大的TDDB可靠性。