[发明专利]一种复合rGO与铜纳米线制备低感度叠氮化铜的方法

权利要求书

1.一种复合rGO与铜纳米线制备低感度叠氮化铜的方法，其特征在于，在合成铜纳米线的过程中加入氧化石墨烯，利用水热法，以儿茶酸为还原剂，在氧化石墨烯被还原的同时将铜离子还原成铜纳米线，制备由还原氧化石墨烯修饰的铜纳米线，利用电化学沉积的方法将制备得到的复合材料沉积在导电基底上，通过气-固相叠氮化反应，制备出叠氮化铜/rGO复合含能材料；

所述方法具体包括如下步骤：

步骤1：配制NaOH溶液、Cu(NO₃)₂溶液，将氧化石墨烯超声分散在水中，将Cu(NO₃)₂溶液加入到氧化石墨烯水溶液中，使用磁力搅拌，使溶液由浅蓝色变为浅棕色；加入EDA，继续搅拌至溶液变为紫色；

步骤2：将混合溶液加入到装有NaOH的三口烧瓶中，继续搅拌至溶液变为蓝色，水浴加热；

步骤3：向反应溶液中加入儿茶素水合物，超声，溶液由蓝色变为深灰色，将三口烧瓶水浴加热；

步骤4：反应结束后，将产物进行离心分离，然后重复用无水乙醇进行洗涤，将所得的铜纳米线/rGO储存在无水乙醇中备用；

步骤5：在乙醇和丙酮混合溶液加入硝酸铝，分散成均匀溶液，加入步骤4中制得的铜纳米线/rGO复合材料，超声分散并静置，取上层清液，得到稳定分散的电泳液；

步骤6：将硅基底作为阴极，石墨板作为阳极，加入步骤5中的电泳液，进行电泳沉积，取出硅基底并烘干，在硅基底形成致密且均匀的薄膜；

步骤7：将叠氮化钠水溶液加入硝酸形成叠氮化氢气体，与步骤6在硅基底上沉积的铜纳米线/rGO复合材料发生气-固相叠氮化反应，制得叠氮化铜/rGO复合含能材料。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所得的叠氮化铜/rGO复合含能材料中，rGO的质量含量为10％-30％。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的NaOH溶液浓度为10-20mol/mL，Cu(NO₃)₂溶液浓度为0.05-0.2mol/mL，氧化石墨烯溶液浓度为3-6mol/mL。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的Cu(NO₃)₂溶液与EDA体积比为2：1。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3的反应条件为：水浴温度为70℃-90℃，反应时间为0.5h-2h，超声时间为10-30min，搅拌时间为10-30min。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤5中，乙醇与丙酮体积比为1：2，超声时间为20min-40min。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的硅基底所用硅片尺寸为30mm×13mm×0.2mm。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤7的反应时长为48h-72h。