[发明专利]互补场效应晶体管中的外延结构

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

隔离元件，延伸至衬底中；

第一晶体管的源/漏区，接触该隔离元件，其中，该隔离元件自该衬底延伸至该第一晶体管的该源/漏区中；

隔离层，接触该第一晶体管的该源/漏区；

第二晶体管的源/漏区，接触该隔离层，其中，该第一晶体管位于该第二晶体管与该衬底之间，以及其中，该隔离层包括绝缘体且位于该第一晶体管的该源/漏区与该第二晶体管的该源/漏区之间；

该第一晶体管的一沟道区，接触并延伸于该第一晶体管的该源/漏区之间；

该第二晶体管的一沟道区，接触并延伸于该第二晶体管的该源/漏区之间；以及

栅极导体，围绕该第一晶体管的该沟道区及该第二晶体管的该沟道区的侧面。

2.如权利要求1所述的集成电路结构，其中，该隔离元件包括位于该衬底中的绝缘体塞或埋置氧化物区。

3.如权利要求1所述的集成电路结构，其中，该隔离层具有沿平行于该衬底的表面的方向的宽度，该宽度小于或等于该第一晶体管的该源/漏区的宽度。

4.如权利要求1所述的集成电路结构，还包括衬里介电质，位于该隔离元件与该衬底之间。

5.如权利要求1所述的集成电路结构，其中，该第一晶体管的该源/漏区接触与该衬底连接的埋置氧化物层。

6.如权利要求1所述的集成电路结构，其中，该第二晶体管的该源/漏区是在该第二晶体管的该沟道区的表面上的SiGe:B外延生长。

7.如权利要求1所述的集成电路结构，其中，该第一晶体管的该源/漏区及该第二晶体管的该源/漏区包括外延生长材料。

8.一种集成电路结构，包括：

衬底；

隔离元件，延伸至该衬底的表面中；

第一晶体管的源/漏区，接触该隔离元件，其中，该隔离元件自该衬底延伸至该第一晶体管的该源/漏区中；

隔离层，接触该第一晶体管的该源/漏区；

第二晶体管的源/漏区，接触该隔离层，其中，该第一晶体管位于该第二晶体管与该衬底之间，以及其中，该隔离层包括绝缘体且位于该第一晶体管的该源/漏区与该第二晶体管的该源/漏区之间；

该第一晶体管的沟道区，接触并延伸于该第一晶体管的该源/漏区之间；

该第二晶体管的沟道区，接触并延伸于该第二晶体管的该源/漏区之间，其中，该第一晶体管的该沟道区与该第二晶体管的该沟道区平行于该衬底的该表面而延伸；

栅极导体，围绕该第一晶体管的该沟道区及该第二晶体管的该沟道区的侧面；以及

衬里介电质，电性横向邻近该栅极导体，

其中，该衬里介电质不同于该隔离层及该隔离元件。

9.如权利要求8所述的集成电路结构，其中，该隔离元件包括位于该衬底中的绝缘体塞或埋置氧化物区。

10.如权利要求8所述的集成电路结构，其中，该隔离层具有沿平行于该衬底的该表面的方向的宽度，该宽度小于或等于该第一晶体管的该源/漏区的宽度。

11.如权利要求8所述的集成电路结构，其中，该衬里介电质位于该隔离元件与该衬底之间。

12.如权利要求8所述的集成电路结构，其中，该第一晶体管的该源/漏区接触与该衬底连接的埋置氧化物层。

13.如权利要求8所述的集成电路结构，其中，该第二晶体管的该源/漏区是在该第二晶体管的该沟道区的表面上的SiGe:B外延生长。

14.如权利要求8所述的集成电路结构，其中，该第一晶体管的该源/漏区及该第二晶体管的该源/漏区包括外延生长材料。