[发明专利]太赫兹悬置空芯脊型介质波导的制作方法及其结构

权利要求书

1.一种太赫兹悬置空芯脊型介质波导的制作方法，其特征在于，包括：

S10，提供一个第一高阻硅(10)，所述第一高阻硅(10)包括第一刻蚀面(110)，在所述第一刻蚀面(110)的相对两侧上制备第一掩膜(111)，并以所述第一掩膜(111)为遮挡进行深反应离子刻蚀，形成第一导带层(120)；

S20，提供一个第二高阻硅(20)，与所述第一高阻硅(10)的宽度相同，所述第二高阻硅(20)包括第二刻蚀面(210)以及与所述第二刻蚀面(210)相对的第三刻蚀面(220)，在所述第二刻蚀面(210)的相对两侧上制备第二掩膜(211)，并以所述第二掩膜(211)为遮挡进行深反应离子刻蚀，形成第二导带层(230)，在所述第三刻蚀面(220)的相对两侧上制备第三掩膜(221)，并以所述第三掩膜(221)为遮挡进行深反应离子刻蚀，形成两个高阻硅支撑片(240)，所述第一导带层(120)与所述第二导带层(230)组成一个导带层(60)；

S30，提供一个基底(30)，所述基底(30)的宽度大于所述第二高阻硅(20)，所述基底(30)包括第四刻蚀面(310)，在所述第四刻蚀面(310)的相对两侧上制备第四掩膜(311)，并以所述第四掩膜(311)为遮挡进行湿法刻蚀，形成基底层(320)；

S40，将所述两个高阻硅支撑片(240)与所述基底层(320)贴合在一起，所述第一导带层(120)与所述第二导带层(230)贴合在一起，形成一个空气芯腔(40)，并在高温高压环境下，制备太赫兹悬置空芯脊型介质波导(100)，其中，所述空气芯腔(40)与所述导带层(60)的比例为3:4。

2.如权利要求1所述的太赫兹悬置空芯脊型介质波导的制作方法，其特征在于，所述S10包括：

S110，提供一个所述第一高阻硅(10)，包括所述第一刻蚀面(110)；

S120，将光致抗蚀剂旋涂在所述第一刻蚀面(110)的相对两侧，且所述光致抗蚀剂的厚度为4微米～6微米；

S130，将旋涂有所述光致抗蚀剂的所述第一高阻硅(10)进行光刻、曝光以及显影，形成所述第一掩膜(111)；

S140，以所述第一掩膜(111)为遮挡，对所述第一高阻硅(10)进行深反应离子刻蚀至深度为30微米～40微米，形成所述第一导带层(120)。

3.如权利要求1所述的太赫兹悬置空芯脊型介质波导的制作方法，其特征在于，所述S20包括：

S210，提供一个所述第二高阻硅(20)，包括所述第二刻蚀面(210)以及所述第三刻蚀面(220)；

S220，将光致抗蚀剂旋涂在所述第二刻蚀面(210)的相对两侧以及所述第三刻蚀面(220)的相对两侧，且所述光致抗蚀剂的厚度为4微米～6微米；

S230，将旋涂有所述光致抗蚀剂的所述第二高阻硅(20)进行光刻、曝光以及显影，形成所述第二掩膜(211)以及所述第三掩膜(221)；

S240，以所述第二掩膜(211)为遮挡，对所述第二高阻硅(20)进行深反应离子刻蚀至深度为30微米～40微米，形成所述第二导带层(230)；

S250，以所述第三掩膜(221)为遮挡，对所述第二高阻硅(20)进行深反应离子刻蚀至深度为270微米～290微米，形成所述两个高阻硅支撑片(240)。

4.如权利要求1所述的太赫兹悬置空芯脊型介质波导的制作方法，其特征在于，所述S30包括：

S310，提供一个所述基底(30)，包括所述第四刻蚀面(310)；

S320，在所述第四刻蚀面(310)的相对两侧依次旋涂90纳米～100纳米厚度的铬和490纳米～510纳米厚度的金，形成所述第四掩膜(311)；

S330，以所述第四掩膜(311)为遮挡，采用浓度为40％～60％的氢氟酸对所述基底(30)进行湿法刻蚀至深度为290微米～310微米，形成所述基底层(320)。