[发明专利]横向RC-IGBT器件及其制造方法

权利要求书

1.一种横向RC-IGBT器件，包括第一导电类型衬底以及设置于所述第一导电类型衬底上部内的第二导电类型阱区；在所述第二导电类型阱区的一侧设置发射极结构以及栅极结构，在第二导电类型阱区的另一侧设置集电极结构；其特征是：

所述集电极结构包括设置于第二导电类型阱区内的第二导电类型集电极短路区、第二导电类型电场阻止层以及位于所述第二导电类型电场阻止层内的第一导电类型集电区；所述第二导电类型集电极短路区位于栅极结构与第二导电类型电场阻止层之间，第一导电类型集电区、第二导电类型电场阻止层与第二导电类型集电极短路区接触；

在所述第二导电类型集电极短路区的正上方设置连接金属，所述连接金属与第二导电类型集电极短路区欧姆接触；在所述第一导电类型集电区的上方设置多晶电阻区以及集电极金属，所述集电极金属与第一导电类型集电区欧姆接触，多晶电阻区通过电阻区氧化层与第二导电类型集电极短路区、第一导电类型集电区间隔，电阻区氧化层支撑在第二导电类型集电极短路区、第一导电类型集电区上；

多晶电阻区位于连接金属与集电极金属之间，且多晶电阻与连接金属、集电极金属接触，连接金属通过绝缘介质层与发射极结构、栅极结构绝缘隔离；

第二导电类型集电极短路区的掺杂浓度大于第二导电类型电场阻止层的掺杂浓度；

所述发射极结构包括设置于第二导电类型阱区内的第一导电类型基区以及设置于所述第一导电类型基区内的第二导电类型发射区，所述第一导电类型基区、第二导电类型发射区均与第一导电类型基区上方的发射极金属欧姆接触。

2.根据权利要求1述的横向RC-IGBT器件，其特征是：所述第一导电类型基区包括第一导电类型第一基区以及第一导电类型第二基区，第一导电类型第一基区的掺杂浓度大于第一导电类型第二基区的掺杂浓度，第一导电类型第一基区的深度大于第一导电类型第二基区的深度，第一导电类型第一基区与第一导电类型第二基区接触；第二导电类型发射区同时位于第一导电类型第一基区以及第一导电类型第二基区内。

3.根据权利要求2述的横向RC-IGBT器件，其特征是：所述栅极结构包括位于第二导电类型阱区上方的栅极多晶硅以及位于所述栅极多晶硅正下方的栅氧化层，所述栅氧化层与第二导电类型发射区、第一导电类型第二基区以及第二导电类型阱区接触；所述绝缘介质层还压盖包裹所述栅极多晶硅以及栅氧化层，栅极多晶硅通过绝缘介质层与发射极金属绝缘隔离。