[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

芯层；

第一包层，所述第一包层的折射率低于所述芯层的折射率；以及

第二包层，所述第二包层的折射率低于所述芯层的折射率，并且低于所述第一包层的折射率，

所述芯层包括：

第一部分，所述第一部分与所述第一包层接触并且在平面图中与所述第一包层重叠；

第二部分包括：

第一重叠部分，所述第一重叠部分与所述第一包层接触并且在所述平面图中与所述第一包层重叠；以及

第二重叠部分，所述第二重叠部分与所述第二包层接触并且在所述平面图中与所述第二包层重叠，所述第二重叠部分与所述第一部分相邻；以及

第三部分，所述第三部分与所述第二包层接触，并且在所述平面图中与所述第二包层重叠，所述第三部分与所述第二部分相邻，并且具有有限的曲率半径，

其中，在与所述第二部分的延伸方向垂直并且穿过所述第二部分的截面中，所述芯层的上表面和所述第一包层的第一接触区域、与所述芯层的所述上表面和所述第二包层的第二接触区域的第一比率，以及所述芯层的所述上表面和所述第二包层的第三接触区域、与所述芯层和所述第一包层的第四区域的第二比率中的每个比率均为大于0的有限值，

其中，在与所述第二部分的所述延伸方向垂直并且穿过所述第二部分的所述截面中的所述第一比率，低于在与所述第一部分的延伸方向垂直并且穿过所述第一部分的截面中的所述第一比率，并且大于在与所述第三部分的延伸方向垂直并且穿过所述第三部分的截面中的所述第一比率，以及

其中，在与所述第二部分的所述延伸方向垂直并且穿过所述第二部分的所述截面中的所述第二比率，大于在与所述第一部分的延伸方向垂直并且穿过所述第一部分的所述截面中的所述第二比率，并且低于在与所述第三部分的延伸方向垂直并且穿过所述第三部分的截面中的所述第二比率。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，在与所述第二部分的所述延伸方向垂直并且穿过所述第二部分并且位于所述第一部分侧的第一截面中的所述第一比率，大于在与所述第二部分的所述延伸方向垂直并且穿过所述第二部分并且位于比所述第一截面更靠近所述第三部分侧的第二截面中的所述第一比率。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，在与所述第二部分的所述延伸方向垂直并且穿过所述第二部分并且位于所述第一部分侧的第一截面中所述第一包层和所述第二包层中的每一个与所述芯层接触的位置处的所述第二比率，低于在与所述第二部分的所述延伸方向垂直并且穿过所述第二部分并且位于比所述第一截面更靠近所述第三部分侧的第二截面中所述第一包层和所述第二包层中的每一个与所述芯层接触的位置处的所述第二比率。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一比率，随着从与所述第二部分的所述延伸方向垂直并且穿过所述第二部分并且位于所述第一部分侧的第一截面，到与所述第二部分的所述延伸方向垂直穿过所述第二部分并且位于比所述第一截面更靠近所述第三部分侧的第二截面而减小。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第二比率，随着从与所述第二部分的所述延伸方向垂直并且穿过所述第二部分并且位于所述第一部分侧的第一截面，到与所述第二部分的所述延伸方向垂直并且穿过所述第二部分并且位于比所述第一截面更靠近所述第三部分侧的第二截面而增加。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第二部分包括沿第一方向延伸的部分。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第二部分包括沿第一方向延伸的部分和具有有限曲率半径的部分。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第二部分包括具有有限曲率半径的部分。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一重叠部分的平面形状包括锥形形状。