[发明专利]图形化装置及其使用方法有效
| 申请号： | 201810957189.1 | 申请日： | 2018-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN109244002B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 李海亮;牛洁斌;王冠亚;朱效立;谢常青;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图形 化装 及其 使用方法 | ||
1.一种图形化装置，包括：
基板层；
设置于所述基板层上的薄膜层；以及
设置于所述薄膜层上的图形模板层，所述图形模板层包括凸出的图形结构，所述图形结构用于配合腐蚀液在衬底表面形成预设图形，其中，在腐蚀液环境中，所述图形结构与衬底表面接触后，衬底的接触部分被溶解；
所述腐蚀液包括氢氟酸、双氧水和水，所述腐蚀液中氢氟酸、双氧水和水的摩尔数的比为(5～7)∶(0.6～0.8)∶(45～55)；
所述图形结构与所述衬底接触时间为10min。
2.根据权利要求1所述的图形化装置，其特征在于，所述图形结构包括间隔设置的多个条状结构。
3.根据权利要求1所述的图形化装置，其特征在于，单个条状结构的宽度为200nm，单个条状结构的高度为520nm。
4.根据权利要求1所述的图形化装置，其特征在于，所述图形结构的材料包括金(Au)、铂金(Pt)或者银(Ag)。
5.根据权利要求1所述的图形化装置，其特征在于，所述衬底为单晶硅衬底。
6.根据权利要求1所述的图形化装置，其特征在于，所述基板层的材料包括硅；所述薄膜层包括铬薄膜，并且所述铬薄膜的厚度为100-200nm。
7.一种利用权利要求1-6任一项所述的图形化装置进行图形化的方法，包括：
在衬底表面滴加腐蚀液以形成腐蚀液环境；
对图形化装置施加压力，使得图形模板层的图形结构在腐蚀液环境中与衬底表面接触；
保持所述压力，使得所述图形结构在腐蚀液环境中与衬底表面接触一段时间。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述图形结构在腐蚀液环境中与衬底表面接触10min。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
