[发明专利]一种P型半导体石墨烯的制备方法

权利要求书

1.一种P型半导体石墨烯的制备方法，其特征在于，所述的P型半导体石墨烯的制备方法由以下步骤组成：S01：将清洗干净并烘干过的特定基底放在反应台面上，然后抽真空，并通入氩气保护气体；S02：激发微波调节微波发射器至第一反应功率，并升温至第一反应温度，调节反应腔体压强，依次通入H₂和CH₄，控制H₂和CH₄的气流量，反应0.1-20min，形成部分石墨烯薄膜；S03：通入混合有一定体积浓度硼源气体和H₂的混合气体，调节混合气体总流速，并控制反应温度至第二反应温度，调节微波发射功率至第二反应功率，反应0.5-30min，即可获得掺杂硼的P型半导体石墨烯；S04：依次关闭CH₄和H₂，微波发射器，继续通入氩气，并在一定的退火温度下降温，降温时间为10min-300min，然后自然冷却，直至反应舱室降到室温为止，即可取出；

所述的基底是铜箔、镍箔、金箔、铝箔、钛箔、硅片、二氧化硅片、PET膜、ITO膜、金刚石膜中的任何一种；

所述的抽真空，真空度为0.001Pa-10Pa；

所述的氩气保护气体的气流量为1cm³/min-200cm³/min；

所述的CH4气流量为1cm³/min-400cm³/min，H₂气流量为1cm³/min-400cm³/min；

所述的CH₄和H₂的体积比为1∶0.01-500；

所述的激发微波调节微波发射器至第一反应功率为0.1-5Kw；

所述的升温至第一反应温度为200-800℃；

所述的反应腔体压强为0.01-1000Pa；

所述的硼源为辛硼烷和乙硼烷气体中的任何一种；所述的硼源气体和H₂的混合气体中硼源气体和氢气的体积比为1∶0.1-10，混合气体的气流量为1cm³/min-200cm³/min；所述的第二反应温度为300-1100℃；所述的第二反应功率为1-10Kw；所述的退火温度为100-400℃。