[发明专利]一种OLED器件在审
申请号: | 201810955339.5 | 申请日: | 2018-08-21 |
公开(公告)号: | CN109037299A | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 冯纪恒;李扬;罗志猛;赵云 | 申请(专利权)人: | 信利半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 邓义华;陈卫 |
地址: | 516600 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 走线 阳极 防静电 阴极 电化学腐蚀 外围 环境变化 空白区域 静电 可分散 通断电 外边 腐蚀 伤害 | ||
本发明公开了一种OLED器件,其包括OLED基板和设于OLED基板上的边缘外围走线,所述边缘外围走线包括阳极走线和设于阳极走线外的阴极走线,所述阳极走线和阴极走线之间设有防静电块。阳极走线设于最里边,防静电块放置于中间,阴极走线设于最外边,由于边缘外围走线的空白区域设置有防静电块且防静电块位于阳极走线的外侧,器件在通断电以及环境变化时产生的内部静电可分散至防静电块上,避免OLED器件被击伤,同时防静电块比阳极走线更靠外,当发生电化学腐蚀时,会优先腐蚀防静电块,从而保护阳极走线免于电化学腐蚀的伤害,保障阳极走线正常运行,以提升OLED器件的可靠性。
技术领域
本发明涉及一种显示技术领域,更具体地说,涉及一种OLED器件。
背景技术
近年来,随着OLED显示技术的迅猛发展,使其逐渐在激烈的市场竞争中占据重要份额。与其他的显示技术相比,OLED显示器具有自发光、广视角、广色域、低工作电压、高发光效率以及器件可柔性化等优良特性,使其广泛应用于显示及照明领域。然而,OLED显示器同时也面临可靠性差、寿命低的弱点。
OLED基板上的边缘外围走线通常包括阳极走线和阴极走线,由于生产工艺与制程的原因,在OLED器件的阳极走线与阴极走线之间通常会存在部分空白区域,且由于该部分靠近OLED器件的外侧,裸露在空气中,导致其在高温高湿的条件下进行工作,非常容易发生电化学腐蚀,实践发现,这种电化学腐蚀现象在靠近阴极走线的阳极走线上出现概率较大,危害严重。现有技术的解决办法是在该区域覆盖有机或无机涂层,但有机涂层防水汽能力普遍较差,而无机镀层又太薄,且蚀刻难度大、成本太高。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供了一种OLED器件,由于边缘外围走线的空白区域设置有防静电块且防静电块位于阳极走线的外侧,器件在通断电以及环境变化时产生的内部静电可分散至防静电块上,避免OLED器件被击伤,同时防静电块比阳极走线更靠外,当发生电化学腐蚀时,会优先腐蚀防静电块,从而保护阳极走线免于电化学腐蚀的伤害,保障阳极走线正常运行,以提升OLED器件的可靠性。
本发明所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现:
本发明提供了一种OLED器件,其包括OLED基板和设于OLED基板上的边缘外围走线,所述边缘外围走线包括阳极走线,所述阳极走线外侧设有防静电块。
进一步地,所述阳极走线一侧设有阴极走线,所述防静电块与所述边缘外围走线的材料相同,所述阳极走线、防静电块和阴极走线通过湿刻制成。
进一步地,所述防静电块沿着所述边缘外围走线填充。
进一步地,所述边缘外围走线的宽度小于等于0.2mm时,所述防静电块的宽度等于所述边缘外围走线的宽度。
进一步地,所述边缘外围走线的宽度大于0.2mm时,所述防静电块分割成多块,每块防静电块的宽度小于0.2mm。
进一步地,所述防静电块的形状为四边形、三角形、圆形或多边形。
本发明具有如下有益效果:由于边缘外围走线的空白区域设置有防静电块且防静电块位于阳极走线的外侧,器件在通断电以及环境变化时产生的内部静电可分散至防静电块上,避免OLED器件被击伤,同时防静电块比阳极走线更靠外,当发生电化学腐蚀时,会优先腐蚀防静电块,从而保护阳极走线免于电化学腐蚀的伤害,保障阳极走线正常运行,以提升OLED器件的可靠性。
防静电块与所述边缘外围走线的材料相同,阳极走线、防静电块和阴极走线通过湿刻形成,不仅使阳极走线、防静电块和阴极走线保持有一定的间隔,还可一次性湿刻出所需要的结构,减少了加工工序,其无需改变现有工艺,不会增加生产成本。
附图说明
图1为本发明提供的一种OLED器件的结构示意图。
图2为非走线区防静电块的分布示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的