[发明专利]一种具有多晶硅岛的LDMOS器件

权利要求书

1.一种具有多晶硅岛的LDMOS器件，其特征在于：包括P型衬底(1)、P型外延层(2)、P型体区(3)、N型漂移区(10)、栅极结构；其中，所述P型外延层(2)位于P型衬底(1)的上表面；所述P型体区(3)和N型漂移区(10)位于P型外延层(2)的内部上表面；所述P型体区(3)和N型漂移区(10)的侧面接触；所述P型体区(3)的内部上表面有重掺杂的P型源极接触区(4)和重掺杂的N型源极接触区(5)；所述P型源极接触区(4)和重掺杂的N型源极接触区(5)的侧面接触；所述P型源极接触区(4)和重掺杂的N型源极接触区(5)的内部上表面有源极接触(6)；所述P型体区(3)的上表面有栅极结构，所述栅极结构包括侧墙(7)和栅氧化层(8)以及多晶硅栅电极(9)；所述栅氧化层(8)与P型体区(3)相接触；所述多晶硅栅电极(9)位于栅氧化层(8)的上表面；所述侧墙(7)分立于栅氧化层(8)和多晶硅栅电极(9)的两侧；所述N型漂移区(10)的内部上表面远离P型体区(3)的一侧有重掺杂的N型漏极接触区(11)；所述N型漏极接触区(11)的内部上表面有漏极接触(12)；所述N型漂移区(10)的内部上表面有沟槽(13)，所述沟槽(13)位于P型体区(3)和N型漏极接触区(11)之间且与N型漏极接触区(11)不接触；所述沟槽(13)内填有绝缘介质层，所述沟槽(13)内有多个多晶硅岛(14)，所述多晶硅岛(14)沿着水平方向等间距排列，所述多晶硅岛(14)中存储有负电荷，且负电荷的存储量沿着N型漏极接触区(11)到P型体区(3)的方向逐渐减少。

2.根据权利要求1所述的一种具有多晶硅岛的LDMOS器件，其特征在于：所述源极接触(6)和漏极接触(12)的材料是金属硅化物。

3.根据权利要求2所述的一种具有多晶硅岛的LDMOS器件，其特征在于：所述源极接触(6)和漏极接触(12)的材料选自CoSi₂，NiSi₂，TiSi₂和PtSi。

4.根据权利要求1所述的一种具有多晶硅岛的LDMOS器件，其特征在于：所述多晶硅岛(14)中的负电荷通过淀积或离子注入负电性材料形成。

5.根据权利要求1所述的一种具有多晶硅岛的LDMOS器件，其特征在于：沟槽(13)内填充的绝缘介质层材料是二氧化硅。

6.根据权利要求1所述的一种具有多晶硅岛的LDMOS器件，其特征在于：所述多晶硅岛(14)的个数是三个或者三个以上。