[发明专利]图形化装置及其使用方法在审
| 申请号： | 201810953690.0 | 申请日： | 2018-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN109103129A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 李海亮;牛洁斌;王冠亚;朱效立;谢常青;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图形化装置 探针 衬底表面 预设图形 腐蚀液 探针驱动装置 轨迹运动 衬底 溶解 驱动 配合 | ||
1.一种图形化装置，包括：
探针，用于配合腐蚀液在衬底表面形成预设图形，其中，在腐蚀液环境中，探针与衬底表面接触后，衬底的接触部分被溶解；以及
探针驱动装置，用于驱动探针沿所述预设图形的轨迹运动。
2.根据权利要求1所述的图形化装置，其特征在于，所述腐蚀液包括氢氟酸(HF)、双氧水(H2O2)和水(H2O)。
3.根据权利要求2所述的图形化装置，其特征在于，所述腐蚀液中氢氟酸、双氧水和水的摩尔质量比为5～7∶0.6～0.8∶45～55。
4.根据权利要求3所述的图形化装置，其特征在于，所述腐蚀液中氢氟酸、双氧水和水的摩尔质量比为6∶0.7∶50。
5.根据权利要求1所述的图形化装置，其特征在于，所述探针的材料包括金(Au)、铂金(Pt)或者银(Ag)。
6.根据权利要求1所述的图形化装置，其特征在于，所述探针的形状为倒锥形或倒梯形。
7.根据权利要求1所述的图形化装置，其特征在于，所述探针的针尖顶端的直径为4-10nm。
8.根据权利要求1所述的图形化装置，其特征在于，所述衬底为单晶硅衬底。
9.根据权利要求1所述的图形化装置，其特征在于，所述探针驱动装置用于控制探针运动的速度。
10.一种利用权利要求1-9任一项所述的图形化装置进行图形化的方法，包括：
在衬底表面滴加腐蚀液以形成腐蚀液环境；
基于探针驱动装置，控制探针在腐蚀液环境中与衬底表面接触；
基于探针驱动装置，驱动探针沿预设图形的轨迹运动。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
