[发明专利]基于纳米带的晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201810953689.8 | 申请日： | 2018-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN109103264B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 卢年端;李泠;耿玓;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/20;H01L29/207;H01L21/336;B82Y10/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 晶体管 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于纳米带的晶体管，包括：
衬底；
设置于所述衬底上的栅电极；
设置于所述栅电极上的栅介质层；
设置于所述栅介质层上的有源层，所述有源层包括至少一条氮化硼纳米带，所述至少一条氮化硼纳米带均包括用于打开带隙的材料；以及
设置于所述有源层上的源电极和漏电极；
其中，单条氮化硼纳米带包括钝化原子，所述钝化原子用于与所述单条氮化硼纳米带边缘的悬挂键结合；所述用于打开带隙的材料包括惰性气体He、Ne、Ar、Kr、Xe。
2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，单条氮化硼纳米带的层数为1-10层；以及单条氮化硼纳米带的宽度为1-10 nm。
3.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述栅电极包括Mo、Pt、Au、Cu、Ag中的一种或多种；所述栅介质层包括Al2O3；以及所述源电极和所述漏电极包括Pt、Au、Cu、Ag中的一种或多种。
4.一种制备基于纳米带的晶体管的方法，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成栅电极；
在所述栅电极上形成栅介质层；
在所述栅介质层上形成有源层，所述有源层包括至少一条氮化硼纳米带，并使得所述至少一条氮化硼纳米带均包括用于打开带隙的材料；
在所述有源层上形成源电极和漏电极；
在单条氮化硼纳米带上设置钝化原子，使得所述钝化原子与所述单条氮化硼纳米带边缘的悬挂键结合；
其中，所述用于打开带隙的材料包括惰性气体He、Ne、Ar、Kr、Xe。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，还包括：
提供临时衬底；
在所述临时衬底上形成所述有源层，之后将所述有源层转移至所述栅介质层表面。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，还包括：基于第一性原理，计算得出所述用于打开带隙的材料。
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