[发明专利]一种莫桑石的制造方法在审
| 申请号： | 201810948597.0 | 申请日： | 2018-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN109023528A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 孙月静 | 申请（专利权）人： | 孙月静 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B1/10 |
| 代理公司： | 北京华际知识产权代理有限公司 11676 | 代理人： | 李浩 |
| 地址： | 214000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生长室 惰性气体 生长 加热 合成 室内 化学反应 粉末颗粒 硅粉颗粒 碳粉末 单晶 放入 硅粉 晶种 流化 填充 制造 抽出 | ||
【权利要求书】：
1.一种莫桑石的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、选择合适的生长室，并将硅、碳和SiC晶种放入所述生长室中，所述碳是C粉末，粉末颗粒的平均直径大于10微米；所述硅为硅粉，所述硅粉颗粒的平均直径为100μm-400μm；
S2、所述生长室加热至2000℃，然后在2000℃下将所述生长室内的空气抽出，并在所述生长室内填充惰性气体，所述惰性气体的压力范围为100mp-1000mp；
S3、将所述硅和所述碳加热至合成温度，所述合成温度的范围为2000℃-2500℃，使得发生硅与碳发生化学反应以形成SiC。
2.根据权利要求1所述的一种莫桑石的制造方法，其特征在于：在引入所述生长室之前将所述硅粉末和所述碳粉末混合以形成均匀混合物。
3.根据权利要求1所述的一种莫桑石的制造方法，其特征在于：在2000℃下将所述生长室内的空气抽出，使得所述生长室内的压力不超过4mp-10mp。
4.根据权利要求1所述的一种莫桑石的制造方法，其特征在于：所述SiC晶种附着在所述生长室的内侧壁上。
5.根据权利要求1所述的一种莫桑石的制造方法，其特征在于：所述惰性气为氩气、氦气和氢气。
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