[发明专利]一种硅控整流器结构及其制造方法在审

申请号：	201810948203.1	申请日：	2018-08-20
公开（公告）号：	CN109065534A	公开（公告）日：	2018-12-21
发明（设计）人：	朱天志	申请（专利权）人：	上海华力微电子有限公司
主分类号：	H01L27/02	分类号：	H01L27/02
代理公司：	上海专利商标事务所有限公司 31100	代理人：	徐伟
地址：	201203 上海市浦***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	硅控整流器结构阴极浅沟槽隔离制造衬底栅控二极管触发电压维持电压阳极浮接源区
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【权利要求书】：

1.一种硅控整流器结构，包括：

衬底(100)；

位于所述衬底(100)中的N型阱(210)和P型阱(220)，所述N型阱(210)邻接所述P型阱(220)；

所述N型阱(210)内设有连接至阳极的N型重掺杂区(410)和P型重掺杂区(422)，所述N型重掺杂区(410)横跨所述N型阱(210)与所述P型阱(220)，所述N型阱(210)内还设有浮接的保护环(416)，所述保护环(416)位于所述N型重掺杂区(410)与所述P型重掺杂区(422)之间，所述保护环(416)与所述N型重掺杂区(410)通过浅沟槽隔离间隔，所述保护环(416)与所述P型重掺杂区(422)之间为预定宽度的有源区；

所述P型阱(220)内设有连接至阴极的N型重掺杂区(414)和P型重掺杂区(424)，所述N型重掺杂区(414)与所述P型重掺杂区(424)之间通过浅沟槽隔离间隔，所述N型重掺杂区(414)与所述N型重掺杂区(410)之间具有连接至所述阴极的栅控二极管。

2.如权利要求1所述的硅控整流器结构，其特征在于，所述保护环(416)为N型重掺杂区。

3.如权利要求2所述的硅控整流器结构，其特征在于，所述保护环(416)的重掺杂离子浓度范围为1e14cm^-2～1e16cm^-2。

4.如权利要求1所述的硅控整流器结构，其特征在于，所述保护环(416)的宽度为0.1-10um。

5.如权利要求1所述的硅控整流器结构，其特征在于，所述有源区的所述预定宽度为0.2-10um。

6.如权利要求1所述的硅控整流器结构，其特征在于，所述P型阱(220)中还设有P型掺杂的ESD重掺杂区(500)，所述ESD重掺杂区(500)位于所述N型重掺杂区(410)下方的所述P型阱(220)中，且与所述N型阱(210)邻接。

7.一种硅控整流器结构的制造方法，包括：

提供衬底(100)；

在所述衬底(100)中形成N型阱(210)和P型阱(220)，所述N型阱(210)邻接所述P型阱(220)；

在所述N型阱(210)邻接所述P型阱(220)处形成横跨所述N型阱(210)与所述P型阱(220)的N型重掺杂区(410)；

在所述N型阱(210)中形成P型重掺杂区(422)；

在所述N型重掺杂区(410)与所述P型重掺杂区(422)之间形成保护环(416)；