[发明专利]一种批量化半导体湿法氧化装置

权利要求书

1.一种批量化半导体湿法氧化装置，其特征在于，它包括减震台、设置在减震台上的转盘、用于驱动转盘转动的驱动电机、设置在所述的转盘上的多个反应腔室、设置在减震台上的安装架、设于安装架上的腔室加热装置、设于安装架上的CCD成像装置，所述的腔室加热装置能够沿所述的安装架上下移动，所述的转盘用于在所述的驱动电机的驱动下将多个反应腔室分别移动至腔室加热装置加热的位置。

2.如权利要求1所述的一种批量化半导体湿法氧化装置，其特征在于，所述的反应腔室包括反应腔室外壳、上盖、设置在所述的反应腔室外壳内的多层石英支架，所述的多层石英支架包括多个沿上下方向排列设置的环状置物层，所述的置物层具有向内突出的多个支点，多个支点沿置物层周向均匀排布。

3.如权利要求2所述的一种批量化半导体湿法氧化装置，其特征在于，所述的反应腔室还包括进气管、出气管、与进气管相连通的多个进气支管，多个进气支管的出气口分别对应一个置物层。

4.如权利要求3所述的一种批量化半导体湿法氧化装置，其特征在于，所述的进气管、出气管及进气支管为石英材料制成。

5.如权利要求3所述的一种批量化半导体湿法氧化装置，其特征在于，所述的减震台的底部安装有气柜、水浴加热装置及气阀，

所述的水浴加热装置与多个反应腔室的出气管分别通过气体输送管道可插拔的连接，

所述气阀具有第一连通状态和第二连通状态，

当气阀处于第一连通状态时，气柜与反应腔室相连通，水浴加热装置与反应腔室之间的气流通道关闭；

当气阀处于第二连通状态时，水浴加热装置与反应腔室相连通，气柜与反应腔室之间的气流通道关闭。

6.如权利要求1所述的一种批量化半导体湿法氧化装置，其特征在于，所述的腔室加热装置包括圆筒状的壳体、安装在圆筒状壳体的内壁上的多个发热管，所述的腔室加热装置用于套在反应腔室外并对反应腔室加热。

7.如权利要求6所述的一种批量化半导体湿法氧化装置，其特征在于，所述的发热管为立式石英红外发热管，多个发热管沿圆筒状壳体的周向均匀分布。

8.如权利要求6所述的一种批量化半导体湿法氧化装置，其特征在于，所述的安装架上设置有沿上下方向延伸设置的滑轨，所述的壳体上设置有能够沿滑轨上下滑动的多个导向轮。

9.如权利要求8所述的一种批量化半导体湿法氧化装置，其特征在于，所述的安装架上还设置第一滑轮、第二滑轮及绕卷机，所述的圆筒状壳体的外壁上设置有第三滑轮，所述的绕卷机用于绕卷牵引绳的一端部，所述的牵引绳依次绕过第一滑轮和第二滑轮，所述的牵引绳的另一端部固定在第三滑轮上，当绕卷机绕卷和释放牵引绳时，牵引绳拉动腔室加热装置沿滑轨上下滑动。

10.如权利要求9所述的一种批量化半导体湿法氧化装置，其特征在于，所述的安装架上还设置有一L型支架，所述的L型支架包括分别沿X轴和Y轴方向延伸的两个滑杆，CCD成像装置安装在所述的L型支架上，并能够沿两个滑杆滑动。