[发明专利]低辐射薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201810947636.5 | 申请日： | 2018-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN108995103A | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 张航;丁丁;高殷;淮秀兰;李涛;刘斌;陈哲;杨明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院工程热物理研究所 |
| 主分类号： | B29C41/12 | 分类号： | B29C41/12;B29K33/00;B29K505/14;B29L7/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张成新 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低辐射薄膜 银纳米线 制备 透明聚合物材料 网络状结构 | ||
1.一种低辐射薄膜，包括：
基体，所述基体包括透明聚合物材料；以及分布在所述基体中的银纳米线，所述银纳米线构成网络状结构。
2.根据权利要求1所述的低辐射薄膜，其特征在于，所述透明聚合物材料包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。
3.根据权利要求1所述的低辐射薄膜，其特征在于，所述银纳米线的直径为5～100nm，长度为5～50μm。
4.根据权利要求1所述的低辐射薄膜，其特征在于，所述低辐射薄膜中银纳米线的体积分数为1～15％，以及所述低辐射薄膜的厚度为50nm～10μm。
5.根据权利要求1所述的低辐射薄膜，其特征在于，所述低辐射薄膜的可见光透过率大于85％，红外反射率大于90％。
6.根据权利要求1所述的低辐射薄膜，其特征在于，所述低辐射薄膜为单层结构或多层结构。
7.一种低辐射薄膜的制备方法，包括：
提供银纳米线分散液，其中银纳米线的浓度为1～15mg/mL；
提供透明聚合物分散液，其中透明聚合物的质量分数为2～12％；
将所述银纳米线分散液与所述透明聚合物分散液混合，得到的混合液中银纳米线的浓度为1～10mg/mL；
提供衬底，并将所述混合液在衬底上成膜；
将形成于衬底上的薄膜在真空环境中进行干燥处理。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述银纳米线分散液的溶剂为异丙醇；以及所述透明聚合物分散液中透明聚合物为PMMA，溶剂为苯甲醚。
9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，成膜的方法包括精密涂布、浸渍式提拉法、旋涂法、喷涂法和刮涂法中的一种。
10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，进行干燥处理包括：将形成于衬底上的薄膜在50～150℃下干燥10～100min。
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