[发明专利]一种阵列基板、显示面板及其制备方法有效
申请号: | 201810945490.0 | 申请日: | 2018-08-20 |
公开(公告)号: | CN109148479B | 公开(公告)日: | 2020-09-08 |
发明(设计)人: | 曾勉 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底基板;
薄膜晶体管层,制备于所述衬底基板上,所述薄膜晶体管层包括对应显示区域的第一区域,以及位于所述第一区域外侧的第二区域,所述薄膜晶体管层与所述第二区域对应的部分包括GOA电路;
绝缘层,制备于所述薄膜晶体管层上;
电源信号线,对应所述第二区域制备于所述绝缘层上,用以提供电源电压;
平坦化层,制备于所述电源信号线上,所述平坦化层在对应所述电源信号线的位置设置有第一过孔;
金属接触层,制备于所述平坦化层上,所述金属接触层通过所述第一过孔与所述电源信号线搭接;
像素定义层,制备于所述平坦化层上,且定义出像素区域,所述像素定义层在对应所述电源信号线的位置设置有第二过孔;
像素单元层,对应所述像素区域制备于所述平坦化层上,所述像素单元层包括阴极层,所述阴极层通过所述第二过孔与所述金属接触层搭接;
其中,所述电源信号线与所述GOA电路重叠,且所述电源信号线与所述薄膜晶体管层与所述GOA电路对应的部分绝缘。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括薄膜封装层,制备于所述像素单元层上,所述薄膜封装层向所述第二区域延伸,并用于包裹所述电源信号线以及所述GOA电路。
3.一种显示面板的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
步骤S10,提供一衬底基板,在所述衬底基板上制备薄膜晶体管层,其中,所述薄膜晶体管层包括对应显示区域的第一区域,以及位于所述第一区域外侧的第二区域,所述薄膜晶体管层与所述第二区域对应的部分包括GOA电路;
步骤S20,在所述薄膜晶体管层上依次制备绝缘层以及金属层,图案化所述金属层形成对应所述GOA电路的电源信号线,所述电源信号线用以提供电源电压;
步骤S30,在所述金属层上制备平坦化层,对所述平坦化层图案化形成对应所述电源信号线的第一过孔;
在对应所述第二区域的所述平坦化层上制备金属接触层,所述金属接触层通过所述第一过孔与所述电源信号线搭接;
在所述金属接触层以及所述平坦化层上制备像素定义层,对所述像素定义层进行图案化形成对应所述电源信号线的第二过孔;
在所述像素定义层上制备像素单元层,其中,所述像素单元层包括阴极层,所述阴极层通过所述第二过孔与所述金属接触层搭接;
其中,所述电源信号线与所述GOA电路重叠,且所述电源信号线与所述薄膜晶体管层与所述GOA电路对应的部分绝缘。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S30之后还包括以下步骤:
步骤S40,在所述像素单元层上制备薄膜封装层,所述薄膜封装层向所述第二区域延伸,并包裹所述电源信号线以及所述GOA电路。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的