[发明专利]一种并联均流电路拓扑结构

权利要求书

1.一种并联均流电路拓扑结构，其特征在于：包括直流母线、两端分别连接到直流母线的N个并联的功率模块以及并联均流电路，所述N个并联的功率模块的N个输出端通过所述并联均流电路连接在一起；其特征在于，所述并联均流电路包括N个环形磁芯和N个附加绕组，每个附加绕组分别缠绕在每个环形磁芯上，且N个附加绕组相互串联连接形成回路。

2.根据权利要求1所述的并联均流电路拓扑结构，所述N个并联的功率模块的N个输出端直接穿过环形磁芯，形成单匝电感。

3.根据权利要求2所述的并联均流电路拓扑结构，所述N个并联的功率模块的电流额定值相同，所述N个环形磁芯各自的附加绕组的匝数相同。

4.根据权利要求2所述的并联均流电路拓扑结构，所述N个并联的功率模块的电流额定值不同，所述N个环形磁芯各自的附加绕组的匝数与所述N个并联的功率模块的电流额定值成正比。

5.根据权利要求2所述的并联均流电路拓扑结构，所述N个并联的功率模块的N个输出端进一步分别设置隔直电容。

6.根据权利要求1所述的并联均流电路拓扑结构，所述N个并联的功率模块是N个SiC-MOSFET半桥模块或N个高频逆变器。

7.根据权利要求3所述的并联均流电路拓扑结构，所述单匝电感的电感值为L₀，所述N个附加绕组的匝数为n匝，则每个附加绕组的电感值L_s＝n²L₀。

8.根据权利要求6所述的并联均流电路拓扑结构，单匝电感L₀大于等于最小电感值L_0min，其中V_max是其中一个并联的功率模块导通而其余的并联功率模块关断时电感L₀两端电压的最大值，ΔT_max是V_max的最大允许持续时间，ΔI_b是最大允许瞬态不平衡电流。