[发明专利]一种压电晶片及其制作方法

权利要求书

1.一种压电晶片，其特征在于，包括压电材料和至少被压电材料部分包裹的抗磨材料，压电材料由压电晶体材料构成，抗磨材料硬度大于压电材料，抗磨材料做为晶片的移除截止部。

2.根据权利要求1所述的一种压电晶片，其特征在于，晶片已经过或将经过减薄工艺，减薄工艺包括研磨、抛光。

3.根据权利要求1所述的一种压电晶片，其特征在于，晶片具有支撑基板，支撑基板与压电材料连接。

4.根据权利要求2所述的一种压电晶片，其特征在于，在减薄工艺中，移除截止部的移除速度小于压电材料，减缓或者阻止压电材料被移除。

5.根据权利要求1所述的一种压电晶片，其特征在于，晶片在未减薄前，晶片的其中一面为待减薄面，移除截止部距晶片待减薄面的距离为晶片的待移除厚度。

6.根据权利要求1所述的一种压电晶片，其特征在于，晶片在减薄工艺完成之后，移除截止部暴露在晶片的研磨一面。

7.根据权利要求1所述的一种压电晶片，其特征在于，移除截止部的材料包括钨、铝、铜、钽，或者上述金属的合金，或者为上述的氮化物、氧化物。

8.根据权利要求1所述的一种压电晶片，其特征在于，抗磨材料外观与压电材料外观不同。

9.根据权利要求1所述的一种压电晶片，其特征在于，移除截止部靠近晶片边缘。

10.根据权利要求1所述的一种压电晶片，其特征在于，移除截止部关于晶片中心对称分布。

11.根据权利要求1所述的一种压电晶片，其特征在于，压电材料包括钽酸锂或者铌酸锂。

12.根据权利要求1所述的一种压电晶片，其特征在于，移除截止部的厚度为大于等于0.1μm至小于等于10μm或者大于10μm至小于等于20μm。

13.根据权利要求1所述的一种压电晶片，其特征在于，移除截止部的莫氏硬度为大于等于5至小于等于10，或者大于10。

14.根据权利要求1所述的一种压电晶片，其特征在于，压电材料和抗磨材料的移除选择比大于10:1。

15.根据权利要求1所述的一种压电晶片，其特征在于，移除截止部包括圆形、环形、多边形。

16.根据权利要求1所述的一种压电晶片，其特征在于，在压电材料内具有一个或复数个移除截止部。

17.一种压电晶片的制作方法，用于制作超薄晶片，包括：

步骤（1）提供压电材料制作的晶片，晶片的一侧为待键合面、另一侧为待减薄面，在晶片的待键合面制作沟槽；

步骤（2）在沟槽内填充硬度大于压电材料的抗磨材料，抗磨材料作为晶片的移除截止部；

步骤（3）将晶片的待键合面一侧键合到支撑基板上；

步骤（4）从晶片的待减薄面的一侧对晶片进行减薄工艺，减薄至暴露出晶片的移除截止部，移除截止部保护晶片的压电材料不被继续移除。

18.根据权利要求17所述的一种压电晶片的制作方法，其特征在于，减薄工艺包括研磨或者抛光。

19.根据权利要求17所述的一种压电晶片的制作方法，其特征在于，压电材料为钽酸锂或者铌酸锂。

20.根据权利要求17所述的一种压电晶片的制作方法，其特征在于，抗磨材料外观与压电材料外观不同。