[发明专利]提升红磷光OLED器件寿命的方法在审

专利信息
申请号: 201810940177.8 申请日: 2018-08-17
公开(公告)号: CN109192884A 公开(公告)日: 2019-01-11
发明(设计)人: 胡俊涛;李杰;王鹏;陆超超;黄阳;朱钱鹏;许凯 申请(专利权)人: 合肥工业大学
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/50
代理公司: 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 代理人: 余成俊
地址: 230009 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 红磷 掺杂材料 磷光材料 主体发光材料 材料价格 提升器件 光器件 客体
【说明书】:

发明公开了一种提升红磷光OLED器件寿命的,方法,通过使用4CzIPN能使红磷光器件的寿命得到极大改善;由于磷光材料与TADF材料价格昂贵,所以选择CBP作为主体发光材料,以磷光材料作为客体掺杂材料,4CzIPN作为辅助掺杂材料,这样在控制成本的同时还能极大提升器件的寿命。

技术领域

本发明主要是一种提升红磷光OLED器件寿命的方法,在红磷光OLED器件中使用一种辅助掺杂材料,它能为制备结构简单且寿命较长的红磷光OLED器件提供一条新思路。

背景技术

在OLED器件中,寿命的衰减即发光亮度的降低,引起的原因可分为外部因素与内部因素。外部因素主要是水汽的影响,这与器件的封装质量有关;外部因素主要表现在材料的稳定性,对激子的利用率等。当材料发光时,会产生一定热量,随着热量的堆积,会对OLED器件发光层的稳定性产生影响,使激子无法捕获或被捕获后无法正常发光,从而使OLED器件寿命的降低。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种提升红磷光OLED器件寿命的方法,将4CzIPN作为辅助掺杂材料加入到红磷光OLED器件的发光层中,提升发光层材料的稳定性,改善了器件的寿命。

为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:

一种提升红磷光OLED器件寿命的方法,所述红磷光OLED器件包括发光层,发光层由主体发光材料、客体掺杂材料构成,其特征在于:向发光层中加入辅助掺杂材料,辅助掺杂材料为2,4,5,6-四(9-咔唑基)-间苯二腈(2,4,5,6-Tetrkis(carbazole-9-yl)-1,3-dicyanobenzene,4CzIPN)。

所述的一种提升红磷光OLED器件寿命的辅助掺杂方法,其特征在于:所述红磷光OLED器件的发光层选用4,4-二(9-咔唑)联苯(4,4'-Bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl,CBP)作为主体发光材料,红磷光材料Hex-Ir(php)2(acac)作为客体掺杂材料。

所述的一种提升红磷光OLED器件寿命的方法,其特征在于:红磷光材料Hex-Ir(phq)2(acac)浓度为1.5wt%,辅助掺杂材料4CzIPN浓度范围为7.5wt%-50wt%。

所述的一种提升红磷光OLED器件寿命的方法,其特征在于:辅助掺杂材料4CzIPN与客体掺杂材料红磷光材料Hex-Ir(phq)2(acac)的比例分别为15wt%与1.5wt%。

所述的一种提升红磷光OLED器件寿命的方法,其特征在于:主体材料CBP、客体材料Hex-Ir(phq)2(acac)、辅助材料4CzIPN共同蒸镀在红磷光OLED器件的玻璃基片上形成发光层。

为了制备长寿命的红磷光OLED器件,我们制备了用于测试寿命的器件A、B,其中B为对照组。器件A与B的制备方法包括以下几个步骤:

对于器件A (ITO/TAPC(40nm)/CBP:4CzIPN:Hex-Ir(phq)2(acac),

15wt%:1.5wt%(30nm)/TPBi(40nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)),

操作步骤如下:

(1)、ITO玻璃基片的清洗。

(2)、吹干清洗过后的ITO玻璃基片,后烘干。

(3)、对ITO玻璃基片进行紫外臭氧处理。

(4)、将紫外臭氧处理过后的ITO玻璃片放在基片架上,然后放入镀膜机内,将镀膜机抽真空。

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