[发明专利]一类新型二维层状半导体材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201810937272.2 | 申请日： | 2018-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN110835109B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 封伟;赵付来;张鑫;王宇;冯奕钰 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C01B33/06 | 分类号： | C01B33/06;C22C12/00;C22C1/04 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 王秀奎 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一类 新型 二维 层状 半导体材料 及其 制备 方法 | ||
1.二维层状半导体材料，其特征在于，二维层状半导体材料为二维IV-V族二元半导体材料，通过溶剂液相剥离得到多层的二维纳米片，按照下述步骤进行：将金属单质Bi和单质X按照等摩尔比混合均匀后，置于真空密封石英管中，再将石英管置于加热装置中进行高温烧结反应，待反应结束后即可得到二维层状半导体材料，单质X为Si，Ge或者Sn，高温烧结参数：以0.5-5℃/min的速度自20-25℃升温到1000-1200℃并保温20—80h，然后再以0.5-5℃/min的速度降温至20-25℃。
2.根据权利要求1所述的二维层状半导体材料，其特征在于，高温烧结参数：以0.5-1.5℃/min的速度自20-25℃升温到1000-1200℃并保温24-72h，然后再以0.5-1.5℃/min的速度降温至20-25℃。
3.根据权利要求1所述的二维层状半导体材料，其特征在于，高温烧结参数：以1-3℃/min的速度自20-25℃升温到1000-1100℃并保温30-60h，然后再以1-3℃/min的速度降温至20-25℃。
4.二维层状半导体材料的制备方法，其特征在于，按照下述步骤进行：将金属单质Bi和单质X按照等摩尔比混合均匀后，置于真空密封石英管中，再将石英管置于加热装置中进行高温烧结反应，待反应结束后即可得到二维层状半导体材料，单质X为Si，Ge或者Sn，高温烧结参数：以0.5-5℃/min的速度自20-25℃升温到1000-1200℃并保温20—80h，然后再以0.5-5℃/min的速度降温至20-25℃。
5.根据权利要求4所述的二维层状半导体材料的制备方法，其特征在于，高温烧结参数：以0.5-1.5℃/min的速度自20-25℃升温到1000-1200℃并保温24-72h，然后再以0.5-1.5℃/min的速度降温至20-25℃。
6.根据权利要求4所述的二维层状半导体材料的制备方法，其特征在于，高温烧结参数：以1-3℃/min的速度自20-25℃升温到1000-1100℃并保温30-60h，然后再以1-3℃/min的速度降温至20-25℃。
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