[发明专利]磁阻装置及其形成方法

权利要求书

1.一种磁阻装置，其特征在于，包括：

一磁阻，设置于一衬底之上；

一保护层，形成于部分的该磁阻之上；以及

一第一导电结构，设置于该保护层之上，该第一导电结构包括：

一下阻挡层的第一部分和设置于该下阻挡层的该第一部分上的一金属层的一第一部分；以及

一第二导电结构，设置于该衬底之上，并部分覆盖该磁阻，该第二导电结构包括：

该下阻挡层的一第二部分和设置于该下阻挡层的该第二部分上的该金属层的一第二部分；以及

一金属间介电层，设置该衬底之上，其中该磁阻与该第二导电结构设置于该金属间介电层之上，且该金属间介电层中的一引线孔与该第二导电结构电连接。

2.如权利要求1所述的磁阻装置，其特征在于，该保护层的材料包含钛钨TiW、钛Ti或氮化钛TiN。

3.如权利要求1所述的磁阻装置，其特征在于，该下阻挡层的材料包含氮化钛TiN、钛Ti、氮化钽TaN或钽Ta。

4.如权利要求1所述的磁阻装置，其特征在于，该保护层更设置于该第二导电结构与该磁阻之间。

5.如权利要求1所述的磁阻装置，其特征在于，该第一导电结构更包括：

一上阻挡层和一抗反射涂层，依序堆迭于该第一导电结构的该金属层之上。

6.如权利要求1所述的磁阻装置，其特征在于，该第二导电结构更包括：

一上阻挡层和一抗反射涂层，依序堆迭于该第二导电结构的该金属层之上。

7.一种磁阻装置的形成方法，其特征在于，包括：

在一衬底之上依序形成一磁阻材料层和一保护材料层；

对该保护材料层和该磁阻材料层执行一第一图案化工艺，以分别形成一保护层和一磁阻；

在该衬底上依序形成一第一阻挡材料层和一金属材料层，以覆盖该保护层和该磁阻；

对该金属材料层和该第一阻挡材料层执行一第二图案化工艺，以分别形成在该保护层之上的一第一导电结构的一金属层和一下阻挡层，其中在该第二图案化工艺期间，该保护层保护底下的该磁阻；以及

对该保护层执行一湿法腐蚀工艺，移除该保护层未被该第一导电结构覆盖的部分。

8.如权利要求7所述的磁阻装置的形成方法，其特征在于，该第一图案化工艺包含对该保护材料层与该磁阻材料层一起执行的一干法腐蚀。

9.如权利要求7所述的磁阻装置的形成方法，其特征在于，该保护材料层包含钛钨TiW、钛Ti或氮化钛TiN。

10.如权利要求7所述的磁阻装置的形成方法，其特征在于，该湿法腐蚀工艺使用的腐蚀剂为含过氧化氢H₂O₂的溶液。

11.如权利要求7所述的磁阻装置的形成方法，其特征在于，该第一阻挡材料层包含氮化钛TiN、钛Ti、氮化钽TaN或钽Ta。

12.如权利要求7所述的磁阻装置的形成方法，其特征在于，该金属材料层包含铝铜AlCu合金、铝Al或铝硅铜AlCuSi合金。

13.如权利要求7所述的磁阻装置的形成方法，其特征在于，更包括：

在该金属材料层之上依序形成一第二阻挡材料层和一抗反射涂层；

其中该第二阻挡材料层包含氮化钛TiN、钛Ti、氮化钽TaN或钽Ta；

其中该抗反射涂层包含氮化硅SiN或氮氧化硅SiON；

其中该第二图案化工艺更执行于该第二阻挡材料层和该抗反射涂层，以分别形成该第一导电结构的一上阻挡层和一抗反射涂层。