[发明专利]UV转印模具及其制备方法、前板及太阳能幕墙

权利要求书

1.一种UV转印模具的制备方法，包括：

在基体表面形成纹路以作为初模；

在具有所述纹路的所述初模表面设置隔离层以形成原模；

利用电铸工艺在所述原模上电铸金属以形成电铸体；

对所述电铸体进行脱模处理以获得UV转印模具。

2.根据权利要求1所述的UV转印模具的制备方法，其中，所述基体的材质为金属材质。

3.根据权利要求1所述的UV转印模具的制备方法，其中，所述隔离层为石墨隔离层或金属钝化膜隔离层。

4.根据权利要求1所述的UV转印模具的制备方法，其中，在所述原模上电铸的所述金属为铜、铁或镍。

5.根据权利要求1所述的UV转印模具的制备方法，其中，在所述原模上电铸金属时所采用的电铸溶液为硫酸盐、氨基磺酸盐、氟硼酸盐或氯化物的水溶液。

6.一种采用权利要求1-5任一项所述的UV转印模具的制备方法制得的UV转印模具。

7.一种前板，包括依次设置的基材层、图案层和保护层，其中，所述图案层采用权利要求6所述的UV转印模具通过UV转印工艺设置在所述基材层上。

8.根据权利要求7所述的前板，其中，所述基材层为超白钢化浮法玻璃层。

9.根据权利要求7所述的前板，其中，所述保护层通过真空磁控溅射工艺设置在所述图案层上；所述保护层为高透光且有颜色的镀膜层，其透光率大于60％。

10.一种太阳能幕墙，包括依次设置的权利要求7-9中任一项所述的前板以及第一胶膜层、太阳能芯片、第二胶膜层和背板，所述前板的保护层与所述的第一胶膜层相贴合。

11.根据权利要求10所述的太阳能幕墙，其中，所述太阳能芯片为铜铟镓硒太阳能芯片、砷化镓太阳能芯片、碲化镉太阳能芯片、非晶/单晶异质结太阳能芯片、非晶硅太阳能芯片、单晶硅太阳能芯片或多晶硅太阳能芯片。

12.根据权利要求10所述的太阳能幕墙，其中，所述第一胶膜层和第二胶膜层分别选自聚乙烯醇缩丁醛胶膜层、乙烯-醋酸乙烯共聚物胶膜层、乙烯和丁烯高聚物胶膜层、聚氨酯胶膜层、热塑性聚烯烃胶膜层中的一种或多种。