[发明专利]晶圆级芯片的封装方法及结构

说明书

本发明提供了一种晶圆级芯片的封装方法及结构，该方法包括：在晶圆正面的焊垫上形成导电凸柱；在导电凸柱上形成焊柱，焊柱的横截面积沿其厚度方向不变；在晶圆的正面、导电凸柱和焊柱的外围形成第一塑封层；对第一塑封层执行减薄工序，使焊柱裸露。本发明提供了一种晶圆级芯片的封装方法及结构，可焊性好，制备工艺简单，成本低，良率高，封装的产品尺寸更小，厚度更薄。

技术领域

本发明涉及芯片封装技术领域，尤其涉及一种晶圆级芯片的封装方法及结构。

背景技术

本部分的描述仅提供与本发明公开相关的背景信息，而不构成现有技术。

晶圆凸点技术是通过一系列工艺方法在裸晶圆的金属焊垫上形成金属凸柱来实现封装体与外界的电互连。实际中，可以在金属凸柱上植球，并借助植球实现封装的芯片产品与外界的电连接。其中，可焊性是检验植球能否可靠地与外界实现电连接的指标。

基于电子设备的轻薄化的发展趋势，要求封装的芯片产品的尺寸更小、厚度更薄。然而，在该趋势的要求下，当前芯片产品的植球的可焊性要求难以被简单、低成本的满足。

应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本发明的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本发明的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

发明内容

基于前述的现有技术缺陷，本发明实施例提供了一种晶圆级芯片的封装方法及结构，其可焊性好，制备工艺简单，成本低，良率高，封装的产品尺寸更小，厚度更薄。

为了实现上述目的，本发明提供了如下的技术方案。

一种晶圆级芯片的封装方法，包括：在晶圆正面的焊垫上形成导电凸柱；在所述导电凸柱上形成焊柱，所述焊柱的横截面积沿其厚度方向不变；在所述晶圆的正面、所述导电凸柱和所述焊柱的外围形成第一塑封层；对所述第一塑封层执行减薄工序，使所述焊柱裸露。

一种晶圆级芯片的封装结构，包括：晶片单元，其正面的焊垫上形成多个有导电凸柱，多个所述导电凸柱上形成有焊柱，多个所述焊柱的横截面积沿其厚度方向不变；覆盖在所述晶片单元正面、所述导电凸柱和所述焊柱的外围的第一塑封层，多个所述焊柱露出所述第一塑封层，且多个所述焊柱露出所述第一塑封层的部分的形状和截面面积相同。

本发明实施例提供的晶圆级芯片的封装方法及结构，通过采用沿厚度方向的形状和截面面积不发生变化的焊柱，来替代植球。则打磨减薄后，多个焊柱裸露出来的形状和截面面积均是相同的。从而，减省了工艺步骤，焊柱裸露的形状和截面面积易于控制，从而制备工序简单，成本得以降低，封装良率大大提升。

同时，焊柱连同塑封层一起被打磨减薄，使得焊柱的端面与塑封层的表面平齐。如此，相较于现有技术的植球，焊柱不会占据封装结构的厚度方向的空间尺寸，使得封装结构的尺寸更小，厚度更薄，从而为小体积产品提供了更优的封装解决方案。

参照后文的说明和附图，详细公开了本发明的特定实施例，指明了本发明的原理可以被采用的方式。应该理解，本发明的实施例在范围上并不因而受到限制。在所附权利要求的精神和条款的范围内，本发明的实施例包括许多改变、修改和等同。

针对一种实施例描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施例中使用，与其它实施例中的特征相组合，或替代其它实施例中的特征。

应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。

附图说明