[发明专利]半导体发光器件

权利要求书

1.一种半导体发光器件，所述半导体发光器件包括：

发光结构，在所述发光结构中，堆叠导电衬底、第二导电型半导体层、活性层和第一导电型半导体层；

扩散金属层和绝缘层，形成在所述导电衬底与所述第二导电型半导体层之间；以及

反射电极层，形成在所述第二导电型半导体层下方，

其中，所述反射电极层的面向所述第二导电型半导体层的顶表面具有比所述第二导电型半导体层的底表面小的面积，

所述扩散金属层形成穿过所述绝缘层、所述第二导电型半导体层和所述活性层延伸至所述第一导电型半导体层内部的多个通孔，并且通过所述多个通孔将所述扩散金属层电耦联至所述第一导电型半导体层，

任一通孔与邻近于该通孔的另一个通孔之间的最短距离D2比最靠近所述第一导电型半导体层的外部的通孔与所述第二导电型半导体层的外部之间的最短距离D3大，

所述距离D2表示在对角线方向上彼此最接近的两个通孔之间的距离，

所述半导体发光器件还包括金属覆盖层，所述金属覆盖层形成为覆盖所述反射电极层的侧表面和底表面的至少一部分，

所述金属覆盖层的顶表面的一部分在与所述发光结构的拐角相邻的区域处暴露，且电极垫形成在所述金属覆盖层的暴露区域上，

沿所述半导体发光器件的纵向彼此最接近的两个通孔之间的距离D4-1比任一通孔与邻近于该通孔的另一个通孔之间的最短距离D2大，

沿所述半导体发光器件的横向彼此最接近的两个通孔之间的距离D4-2比任一通孔与邻近于该通孔的另一个通孔之间的最短距离D2大，

任一通孔和邻接于该通孔的另一个通孔之间的最短距离D2大于所述电极垫的外部和最接近所述电极垫的外部的通孔之间的最短距离D1，

沿所述半导体发光器件的纵向彼此最接近的两个通孔之间的距离D4-1和沿所述半导体发光器件的横向彼此最接近的两个通孔之间的距离D4-2大于所述电极垫的外部和最接近所述电极垫的外部的通孔之间的最短距离D1。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述距离D2等于或小于160μm。

3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述距离D3的范围为50μm至160μm。

4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，沿所述半导体发光器件的纵向彼此最接近的两个通孔之间的距离D4-1与沿所述半导体发光器件的横向彼此最接近的两个通孔之间的距离D4-2相等。

5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述金属覆盖层形成为覆盖所述反射电极层的侧表面和底表面的全部。

6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述距离D1的范围为90μm至140μm。

7.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述第一导电型半导体层具有形成在其顶表面上的不均匀图案。

8.根据权利要求1所述的半导体发光器件，所述半导体发光器件还包括置于所述导电衬底和所述扩散金属层之间的接合金属层。