[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

发光结构，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层；

第一电极，电连接至所述第一导电半导体层；

第二电极，电连接至所述第二导电半导体层；

第一覆盖电极，设置在所述第一电极上；以及

绝缘层，设置在所述第一电极与所述第二电极之间，

其中所述绝缘层包括设置在所述第一导电半导体层与所述第一覆盖电极之间的第一绝缘部以及设置在所述第一覆盖电极上的第二绝缘部，

其中所述第一覆盖电极包括设置在所述第一绝缘部的上表面与所述第二绝缘部的下表面之间的第一突起部，

第一间隔区域，设置在所述第一绝缘部与所述第一电极之间，

其中所述第一绝缘部与所述第一覆盖电极沿竖直方向重叠的宽度大于所述第一间隔区域的宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一覆盖电极包括延伸到所述第一间隔区域并与所述第一导电半导体层接触的第二不平坦部。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二绝缘部与所述第一覆盖电极沿竖直方向重叠的宽度大于所述第一绝缘部与所述第一覆盖电极沿竖直方向重叠的宽度。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第二绝缘部与所述第一电极沿所述竖直方向重叠。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第二覆盖电极，设置在所述第二电极上，

其中所述绝缘层包括设置在所述第二导电半导体层与所述第二覆盖电极之间的第三绝缘部以及设置在所述第二覆盖电极上的第四绝缘部。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括：

第二间隔区域，设置在所述第三绝缘部与所述第二电极之间，

其中所述第二覆盖电极延伸到所述第二间隔区域并与所述第二导电半导体层接触。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一电极包括设置在其上表面上的凹槽。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一覆盖电极包括设置在第一凹槽中的第一不平坦部。

9.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述发光结构包括使所述有源层和所述第二导电半导体层设置在所述第一导电半导体层上的第一区域以及暴露所述第一导电半导体层的第二区域，

其中所述绝缘层设置在所述第一导电半导体层的上表面、所述有源层的侧表面、所述第二导电半导体层的侧表面以及所述第二导电半导体层的上表面上。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述绝缘层包括设置在所述第一电极与所述第二电极之间的凹陷。

11.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括：

衬底，所述发光结构设置在所述衬底上；

第一焊盘，设置在所述第一覆盖电极上；以及

第二焊盘，设置在所述第二覆盖电极上。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述第一焊盘延伸到所述第二绝缘部的上表面，所述第二焊盘延伸到所述第四绝缘部的上表面。

13.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述第一区域包括具有第一端部和第二端部的多个第一发光部以及连接到所述多个第一发光部的所述第一端部的第二发光部。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中所述第一区域的最大周长(P11)与所述第一区域的最大面积(P12)的比(P11/P12)在0.02μm^-1至0.05μm^-1的范围内。