[发明专利]一种光伏组件及其制作方法在审
申请号: | 201810920723.1 | 申请日: | 2018-08-14 |
公开(公告)号: | CN109087961A | 公开(公告)日: | 2018-12-25 |
发明(设计)人: | 姜仔达;沙明星 | 申请(专利权)人: | 东腾投资集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/043 | 分类号: | H01L31/043;H01L31/048;H01L31/05;H01L31/18 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 李蒙蒙;龙洪 |
地址: | 100012 北京市朝阳区红军营南路1*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池芯片 光伏组件 背面 胶黏剂 吸光面 粘连 绝缘 双面太阳能电池 光电转换效率 申请 制作 | ||
本申请公开了一种光伏组件及其制作方法,所述光伏组件包括第一太阳能电池芯片组和第二太阳能电池芯片组,其中:所述第一太阳能电池芯片组的正面为第一吸光面,所述第二太阳能电池芯片组的正面为第二吸光面;所述第一太阳能电池芯片组的背面和所述第二太阳能电池芯片组的背面通过绝缘胶黏剂粘连在一起。本申请通过将第一太阳能电池芯片组的背面和所述第二太阳能电池芯片组的背面通过绝缘胶黏剂粘连在一起,形成双面太阳能电池,提高了光伏组件的光电转换效率。
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种光伏组件及其制作方法。
背景技术
当前,在能源日渐短缺和环境保护双重压力形势下,可再生能源的开发利用受到了人们的普遍关注。太阳能电池又称为“太阳能芯片”或“光电池”,是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片,具有无污染、资源的普遍性和永不枯竭等特点。太阳能电池主要分为晶体硅太阳能电池和薄膜太阳能电池两种。与晶体硅太阳能电池相比,薄膜太阳能电池具有成本低廉、轻质、柔软、易加工等一系列优点,因此,其具有更为广阔的发展前景。
铜铟镓硒(Copper indium gallium diSelenide,CIGS)是一种具有高效率低成本的薄膜太阳能电池,现有的CIGS电池芯片通常只对正面镀膜,如图1所示,一种CIGS电池膜层结构包括掺铝氧化锌(AZO)前电极层、氟化镁(MgF2)减反层、本征氧化锌(i-ZnO)窗口层、硫化镉(CdS)缓冲层、CIGS吸光层、钼(Mo)底电极层和不锈钢基底层,正面吸收光能并转化为电能,产生电流;背面使用铜线作为引流导线,将正面产生的电流引至引流焊带,并通过汇流条将各引流焊带的电流汇总到一个接线盒输出。
但是,现有的电池芯片切割后,相邻的电池芯片连接时需要为引流导线留有一定的间隙,这种连接方式存在一定的面积浪费,无法实现有效光照面积内光能的最大利用;且封装时,背面的引流导线需要绕成曲线形状,封装工序复杂,影响良率,并且单面电池较双面电池的光电转换效率较低。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种光伏组件及其制作方法,能够提高太阳能电池的光电转换效率。
为了达到本发明目的,本发明实施例的技术方案是这样实现的:
本发明实施例提供了一种光伏组件,包括第一太阳能电池芯片组和第二太阳能电池芯片组,其中:所述第一太阳能电池芯片组的正面为第一吸光面,所述第二太阳能电池芯片组的正面为第二吸光面;所述第一太阳能电池芯片组的背面和所述第二太阳能电池芯片组的背面通过绝缘胶黏剂粘连在一起。
本发明实施例还提供了一种光伏组件的制作方法,包括:将多个太阳能电池芯片分成两组,得到第一太阳能电池芯片组与第二太阳能电池芯片组,并将每组的太阳能电池芯片分成至少一太阳能电池串,将每一太阳能电池串中的太阳能电池芯片串联连接;将第一太阳能电池芯片组的背面和第二太阳能电池芯片组的背面通过绝缘胶黏剂粘连在一起;对粘连好的第一太阳能电池芯片组和第二太阳能电池芯片组进行层压封装。
本发明实施例的技术方案,具有如下有益效果:
本发明实施例提供的光伏组件及其制作方法,通过使用绝缘胶黏剂将第一太阳能电池芯片组的背面和第二太阳能电池芯片组的背面粘连在一起,形成双面太阳能电池,提高了光电转换效率;
进一步地,通过叠瓦技术堆叠连接各个太阳能电池芯片,取消了引流导线的设置,简化了电池芯片的封装工序,提升了光伏组件的有效受光面积及输出功率,提高了光伏组件的制造良率与光电转换效率。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本申请的一部分,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
图1为相关技术中一种CIGS电池膜层结构示意图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东腾投资集团有限公司,未经东腾投资集团有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810920723.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的