[发明专利]PMOS管驱动电路

说明书

本发明公开了一种PMOS管驱动电路，包括三极管开关、第一控制电路、第二控制电路和PMOS管；所述三极管开关的输入端接收控制信号，输出端与所述第一控制电路和所述第二控制电路的一个输入端连接；所述第一控制电路和所述第二控制电路的输出端与所述PMOS管的输入端连接，另一个输入端与电源电压连接；所述第一控制电路构成为在所述电源电压为低电压的情况下，使施加在所述PMOS管上的电压基本等于所述电源电压；所述第二控制电路构成为在所述电源电压为高电压的情况下，使施加在所述PMOS管上的电压保持稳定值。本发明的PMOS管驱动电路能够适应电源电压高、低的大范围变化，具有超宽的电源电压范围。

技术领域

本发明属于电子电路技术领域，尤其涉及一种PMOS管驱动电路。

背景技术

绝缘栅型场效应晶体管，简称MOS管，是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。它不但具备双极型晶体管的优点，而且具有功耗低、输入阻抗极高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强等突出优点。因而，在电子线路中有着广泛的应用。根据沟道材料的不同，MOS管分为PMOS管和NMOS管。

由于PMOS管是一种电压控制器件，其输出受栅源电压V_GS控制，而V_GS与电源电压密切相关。一般的V_GS驱动电路，多采用三极管控制的电阻分压，这在电源电压变化不大时是一种很好的解决方法。但是，在电源电压变化较大的场合，电阻分压的局限性就比较明显。因为，当电源电压变得较高时，V_GS必然增大，甚至超过PMOS管V_GS的安全电压。尽管很多MOS管内部有保护稳压管，但驱动电压超过稳压管的电压，会引起较大的静态功耗。当电源电压变得较低时，V_GS必然减小，可能引起导通不够，从而增加功耗，甚至低于PMOS管V_GS的开启电压，PMOS管不通，导致原设计失效。采用稳压管驱动V_GS电路存在同样的问题。稳压管的稳压值选的较低，尽管能够保证在电源电压较低时，PMOS管仍能工作，但由于限流电阻总存在压降，限制了电源电压更低的应用环境，而在电源电压较高时，又会给电路带来较大的功耗。

发明内容

本发明的目的是提供一种PMOS管驱动电路，能够适应电源电压高、低的大范围变化，既能够使PMOS管正常导通，又使得V_GS(栅源电压)始终处于安全电压范围。

本发明的一个方面提供一种PMOS管驱动电路，包括三极管开关、第一控制电路、第二控制电路和PMOS管；所述三极管开关的输入端接收控制信号，输出端与所述第一控制电路和所述第二控制电路的一个输入端连接；所述第一控制电路和所述第二控制电路的输出端与所述PMOS管的输入端连接，另一个输入端与电源电压连接；所述第一控制电路构成为在所述电源电压为低电压的情况下，使施加在所述PMOS管上的电压基本等于所述电源电压；所述第二控制电路构成为在所述电源电压为高电压的情况下，使施加在所述PMOS管上的电压保持稳定值。

本发明的上述方面的PMOS管驱动电路具有超宽的电源电压范围，可在略高于PMOS管的开启电压和漏-源击穿电压范围内工作。

附图说明

图1是本发明一种实施方式的PMOS管驱动电路的原理框图。

图2是本发明一种实施方式的PMOS管驱动电路的第一控制电路起作用的等效电路图。

图3是本发明一种实施方式的PMOS管驱动电路的第二控制电路起作用的等效电路图。

图4是本发明一种实施方式的PMOS管驱动电路的第一控制电路、第二控制电路综合作用的等效电路图。

具体实施方式

为了使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面将结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的详细说明。