[发明专利]存储器控制器、包括其的半导体存储系统以及驱动方法

权利要求书

1.一种存储器控制器，包括：

地址控制块，其被配置为：当具有第一逻辑电平的写入数据的数量在可校正范围之内时、并且当与写入目标地址相对应的数据的电平具有所述第一逻辑电平时，将所述写入目标地址重新映射至重新映射地址，其中，所述第一逻辑电平具有比与所述第一逻辑电平相反的第二逻辑电平更高的错误发生概率，以及

数据判定块，其被配置为：接收所述写入数据，并且通过将具有所述第一逻辑电平的写入数据的数量与可校正范围进行比较来产生地址改变信号，

其中，所述存储器控制器将所述写入数据储存在存储器件中，

其中，所述写入目标地址表明位于带有第一读取错误的区域中的存储单元，以及所述重新 映射地址表明位于带有高于所述第一读取错误的第二读取错误的区域中的存储单元，以及

其中，所述地址控制块基于所述地址改变信号来重新映射所述写入目标地址。

2.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中，所述存储器件包括：

存储单元阵列，其包括多个存储单元；以及

控制电路块，其被布置在所述存储单元阵列的边缘部分处，

其中，所述重新映射地址是到与所述控制电路块相邻的存储单元的地址。

3.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中，所述地址控制块包括映射表，所述映射表被配置为储存所述写入目标地址的重新映射信息。

4.根据权利要求3所述的存储器控制器，其中，所述存储器件包括：

存储单元阵列，其包括多个存储单元，所述多个存储单元被布置成具有n行和m列的矩阵形状，m和n为正整数，

其中，所述映射表包括行表和列表，所述行表包括n个页面，所述列表包括m个页面，以及

其中，所述写入目标地址的重新映射信息储存在所述行表和所述列表的页面之中的选中的一个页面中。

5.根据权利要求1所述的存储器控制器，还包括：

错误校正码电路，其被配置为：在读取操作期间对从所述存储器件接收的读取数据进行检测和校正。

6.根据权利要求5所述的存储器控制器，其中，所述可校正范围对应于所述错误校正码电路的错误校正比特的临界数量。

7.根据权利要求6所述的存储器控制器，其中，所述数据判定块包括：

数据电平计数电路，其被配置为：接收所述写入数据，并且通过对具有所述第一逻辑电平的所述写入数据的数量进行计数来产生输出码；以及

比较电路，其被配置为：将所述数据电平计数电路的所述输出码与参考码进行比较，并且在所述数据电平计数电路的所述输出码低于所述参考码时输出所述地址改变信号，所述参考码以所述错误校正码电路的错误校正比特的临界数量来编码。

8.一种半导体存储系统，包括：

存储器件，其包括存储单元阵列和控制电路块，所述存储单元阵列包括多个存储单元，所述多个存储单元被布置成具有n行和m列的矩阵形状，m和n为正整数，所述控制电路块被布置在所述存储单元阵列的边缘部分处；以及

存储器控制器，其被配置为将写入数据、读取命令、写入命令和地址提供给所述存储器件，所述地址提供所述写入数据在所述存储器件中被写入的位置；

其中，所述存储器控制器包括：

错误校正码电路，其被配置为对读取数据进行校正；

数据判定块，其被配置为：当具有第一逻辑电平的所述写入数据的数量在所述错误校正码电路的可校正范围之内时，产生地址改变信号；以及

地址控制块，其被配置为：当与写入目标地址对应的数据具有所述第一逻辑电平时、并且当与所述控制电路块相邻的存储单元为空时，在写入操作中利用与所述控制电路块相邻的所述存储单元的地址来重新映射所述写入目标地址，并且在读取操作中基于读取目标地址的重新映射信息来选择所述读取目标地址和重新映射地址中的一个。

9.如权利要求8所述的半导体存储系统，其中，所述地址控制块包括映射表，所述映射表被配置为储存所述写入目标地址的重新映射信息。