[发明专利]一种氧化亚铜薄膜及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种氧化亚铜薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)将碘化亚铜溶于极性非质子溶剂中，振荡后得到分散均匀、溶解充分的碘化亚铜-极性非质子溶剂混合溶液；

(2)将步骤(1)得到的碘化亚铜-极性非质子溶剂混合溶液涂覆在基底表面，得到碘化亚铜薄膜；

(3)将步骤(2)得到的碘化亚铜薄膜浸泡于碱溶液中，然后清洗、吹干，制得氧化亚铜薄膜。

2.根据权利要求1所述一种氧化亚铜薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)所得碘化亚铜-极性非质子溶剂混合溶液的质量体积浓度为1～20mg/ml。

3.根据权利要求1所述一种氧化亚铜薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述极性非质子溶剂包括乙腈、二甲基甲酰胺或二甲基亚砜。

4.根据权利要求1所述一种氧化亚铜薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述基底包括N型单晶硅基底，厚度为450μm，电阻率为1.5-2.6Ω·cm。

5.根据权利要求1所述一种氧化亚铜薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述涂覆为旋涂或超声喷涂。

6.根据权利要求1所述一种氧化亚铜薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述浸泡时间5～10秒，所述碱溶液为氢氧化钠溶液和/或氢氧化钾溶液，碱溶液质量体积浓度为10～20mg/ml。

7.由权利要求1--6任一项所述制备方法得到的一种氧化亚铜薄膜。

8.权利要求7所述氧化亚铜薄膜的应用，其特征在于，所述氧化亚铜薄膜应用于制备氧化亚铜/硅异质结太阳能电池。

9.一种氧化亚铜/硅异质结太阳能电池，其特征在于，其通过如下步骤制得：

1)权利要求7所述氧化亚铜薄膜作为空穴传输层，在该氧化亚铜薄膜表面沉积50-100nm的透明导电薄膜；

2)在透明导电薄膜表面蒸镀厚度为100-200nm的Ag栅电极，作为上电极；

3)在Ag栅电极上面沉积厚度为1-3nm的致密Al₂O₃薄膜；

4)最后，在氧化亚铜薄膜背面，即基底另一面镀上厚度为100-300nm的Al电极，作为下电极。

10.根据权利要求9所述一种氧化亚铜/硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述沉积为原子层沉积；步骤1)所述透明导电薄膜为TCO或ITO导电薄膜；步骤2)所述蒸镀为真空热蒸发镀膜法，其中，蒸镀腔体的真空度为2×10^-4～5×10^-4，蒸镀速率为