[发明专利]一种片式电阻器及其制造方法

说明书

本发明涉及一种片式电阻器及其制造方法，该片式电阻器包括：绝缘基板；第一正面电极，所述第一正面电极包括第一正面电极大电极和第一正面电极小电极，第一正面大电极和第一正面电极小电极分别设置于绝缘基板上表面两端且两者之间留有空隙；电阻层，所述电阻层覆盖部分第一正面电极且填充两个第一正面电极之间的空隙；第二正面电极，所述第二正面电极包括第二正面小电极和第二正面大电极，所述第二正面小电极与第一正面大电极面连接，所述第二正面大电极与第一正面电极小电极以及电阻层面连接；第一保护层，所述第一保护层覆盖部分第二正面电极大电极且填充两个第二正面电极之间的空隙。本发明提供的片式电阻器具有电阻值低和TCR水平高的优点。

技术领域

本发明涉及一种片式电阻器，尤其涉及一种具有低电阻值和低TCR的片式电阻器，及其制造方法。

背景技术

近年来，随着便携式电话、摄像机、平板电脑的发展，对小型电子装置的需求日益增长。这些小型电子装置的性能与运用在这些电子装置中的电子器件直接相关，尤其是与超低阻值的片式电阻器的性能直接相关。片式超低阻通常有厚膜超低阻、合金膜超低阻、纯合金超低阻三个主流种类，按阻值覆盖划分厚膜超低阻覆盖1000mΩ≥R≥10mΩ，合金膜超低阻覆盖500mΩ≥R≥1mΩ，纯合金超低阻覆盖200mΩ≥R≥0.5mΩ。按TCR性能从高到低排序纯合金超低阻≥合金膜超低阻＞厚膜超低阻。按功率性能从高到低排序纯合金超低阻＞合金膜超低阻＞厚膜超低阻。按成本从高到低排序纯合金超低阻＞合金膜超低阻＞厚膜超低阻。TCR值越低、性能越高，TCR值越高、性能越低。

如图2所示，为现有常用的厚膜超低阻产品结构图，在基板100的下表面印刷一对背面银导电层601、602，在基板100上表面印刷一对正面银导电层201、202，然后烧成。在基板100表面印刷一层电阻层300，且与正面银导电层201、202搭接相连，然后烧成。在电阻层300上印刷第一绝缘保护层400，然后烧成。在第一绝缘保护层上印刷第二绝缘保护层500，然后烧成。这种采用的跨接式的厚膜片式电阻器的电阻结构，受制于电阻浆料电阻率，通常只能取得10mΩ的最低阻值。10～100mΩ由于电阻浆料中银含量的大幅增加，TCR值水平急剧升高。

本发明就是从解决上述问题出发，提供一种电阻值低至0.5mΩ且TCR水平低的厚膜片式电阻器。

发明内容

本发明针对现有技术中存在的问题，提供一种片式电阻器及其制造方法，该片式电阻器最低阻值可以达到0.5mΩ且其TCR水平高。

为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：

一种片式电阻器，包括：绝缘基板；第一正面电极，所述第一正面电极包括第一正面电极大电极和第一正面电极小电极，第一正面大电极和第一正面电极小电极分别设置于绝缘基板上表面两端且两者之间留有空隙；电阻层，所述电阻层覆盖部分第一正面电极且填充两个第一正面电极之间的空隙；第二正面电极，所述第二正面电极包括第二正面小电极和第二正面大电极，所述第二正面小电极与第一正面大电极面连接，所述第二正面大电极与第一正面电极小电极以及电阻层面连接，两个第二正面电极之间留有空隙；第一保护层，所述第一保护层覆盖部分第二正面电极大电极且填充两个第二正面电极之间的空隙。

进一步地，所述片式电阻器还包括第二保护层，所述第二保护层覆盖第一保护层以及部分第二正面电极。

进一步地，所述电阻层的厚度为10～50um。

进一步地，所述第一正面电极、第二正面电极的材质为银钯合金，所述银钯合金中钯的重量百分百为0.1～30％。

本发明还提供一种片式电阻器的制备方法，包括：

在绝缘基板正面两端，采用厚膜印刷方式涂布银导体浆料，烧成得到一对第一正面电极的步骤；

在绝缘基板正面及第一正面电极上，采用厚膜印刷方式涂布电阻浆料，烧成得到电阻层的步骤；