[发明专利]非易失性存储器装置和非易失性存储器装置的操作方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器装置，包括：

存储器单元阵列，其包括形成在主体上的多个存储器单元和伪单元；

行解码器，其通过字线连接至所述存储器单元；

伪位线偏置电路，其通过伪位线连接至所述伪单元；

伪字线偏置电路，其通过多条伪字线连接至所述伪单元；

写驱动器和读出放大器，其通过位线连接至所述存储器单元；

源极线驱动器，其通过多条源极线连接至所述存储器单元；

泄漏检测器，其通过伪源极线连接至所述伪单元，并且检测流至所述伪源极线的第一漏电流的量；以及

体偏置电路，其被构造为根据所述第一漏电流的量调整其中形成有所述存储器单元和所述伪单元的主体的偏置电压。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述存储器单元和所述伪单元具有相同的结构。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述伪单元中的一个或多个包括可变电阻元件和分别由所述伪字线控制的选择晶体管，并且

其中，在与所述存储器单元关联的读操作中，所述伪字线偏置电路将用于使所述伪单元的选择晶体管关断的电压施加至所述伪字线。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述伪位线偏置电路将第一电压施加至所述伪位线，并且所述泄漏检测器将高于所述第一电压的第二电压施加至所述伪源极线。

5.根据权利要求4所述的非易失性存储器装置，其中，在与所述存储器单元关联的读操作中，所述第二电压和所述第一电压之间的电压差与第三电压和第四电压之间的电压差成比例，所述第三电压施加至从所述源极线中选择的一条源极线，所述第四电压施加至从所述位线中选择的一条位线。

6.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述体偏置电路被构造为当所述第一漏电流的量增大时减小所述偏置电压。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述体偏置电路被构造为调整所述偏置电压，以使得所述第一漏电流的量实质上均匀。

8.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述泄漏检测器包括：

电压驱动器，其被构造为通过第一偏置电压的输出控制所述伪源极线的电压；

电流镜，其被构造为对流动经过所述伪源极线的所述第一漏电流进行镜像处理，以输出第二漏电流；

电阻元件，其被构造为将来自所述电流镜的所述第二漏电流的量转换为漏电压；以及

比较器，其被构造为将所述漏电压与第二偏置电压进行比较，并且当所述漏电压高于所述第二偏置电压时激活使能信号。

9.根据权利要求8所述的非易失性存储器装置，其中，所述电阻元件包括晶体管并且将所述第二漏电流转移至地节点，所述晶体管具有连接以接收参考电压的栅极。

10.根据权利要求8所述的非易失性存储器装置，其中，所述电流镜放大所述第一漏电流的量，以输出所述第二漏电流。

11.根据权利要求8所述的非易失性存储器装置，其中，所述体偏置电路包括：

负电荷泵，其被构造为响应于所述使能信号的激活将负电压输出至与所述主体相连接的体偏置节点。

12.根据权利要求11所述的非易失性存储器装置，其中，所述体偏置电路还包括：

电流源，其被构造为将偏置电流供应至所述体偏置节点。

13.根据权利要求12所述的非易失性存储器装置，其中，所述电流源与温度成反比地调整所述偏置电流的量。