[发明专利]一种无功耗片内实现多端口过负压的模拟开关

权利要求书

1.一种无功耗片内实现多端口过负压的模拟开关，其特征在于，包括组成一个开关单元的CMOS模拟开关PMOS管和CMOS模拟开关NMOS管，所述CMOS模拟开关PMOS管的漏极和所述CMOS模拟开关NMOS管的漏极均连接CMOS模拟开关输入电压端，所述CMOS模拟开关PMOS管的源极和所述CMOS模拟开关NMOS管的源极均连接CMOS模拟开关输出电压端，所述CMOS模拟开关NMOS管的栅极连接该栅极控制信号，所述栅极控制信号的低电平端和所述CMOS模拟开关NMOS管的衬底均连接负压电位生成电路的低电平端，所述负压电位生成电路具有若干模拟开关输入电压端接口和若干模拟开关输出电压端接口。

2.根据权利要求1所述的无功耗片内实现多端口过负压的模拟开关，其特征在于，所述负压电位生成电路的低电平端为所述栅极控制信号的低电平端提供控制信号所需的低电平。

3.根据权利要求1所述的无功耗片内实现多端口过负压的模拟开关，其特征在于，所述负压电位生成电路包括接地NMOS管、第一组NMOS管和第二组NMOS管，所述接地NMOS管的漏极连接接地端，所述接地NMOS管的栅极、源极和衬底均连接所述负压电位生成电路的低电平端，所述第一组NMOS管以其第一组漏极形成第一组模拟开关输入电压端接口，所述第二组NMOS管以其第二组漏极形成第二组模拟开关输出电压端接口，所述第一组NMOS管的栅极、源极和衬底均连接所述负压电位生成电路的低电平端，所述第二组NMOS管的栅极、源极和衬底均连接所述负压电位生成电路的低电平端。

4.根据权利要求3所述的无功耗片内实现多端口过负压的模拟开关，其特征在于，所述负压电位生成电路的低电平端的电位为整个芯片能看到的所有电位的最低电位加上一个NMOS管的寄生体二极管压降。

5.根据权利要求3所述的无功耗片内实现多端口过负压的模拟开关，其特征在于，所述第一组NMOS管的漏极均设置有漏端串入电阻，所述第二组NMOS管的漏极均设置有漏端串入电阻。

6.根据权利要求1所述的无功耗片内实现多端口过负压的模拟开关，其特征在于，所述负压电位生成电路包括接地NPN三极管，第一组NPN三极管和第二组NPN三极管，所述接地NPN三极管的集电极连接接地端，所述接地NPN三极管的基极和发射极均连接所述负压电位生成电路的低电平端，所述第一组NPN三极管以其第一组集电极形成第一组模拟开关输入电压端接口，所述第二组NPN三极管以其第二组集电极形成第二组模拟开关输出电压端接口，所述第一组NPN三极管的基极和发射极均连接所述负压电位生成电路的低电平端，所述第二组NPN三极管的基极和发射极均连接所述负压电位生成电路的低电平端。